CSD59973BQ5MC 是一款來自德州儀� (TI) � NexFET 功率 MOSFET,采用小� QFN 封裝。該器件�(shè)�(jì)用于高效能的功率�(zhuǎn)換應(yīng)�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于同步整流、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)換等場景。其�(yōu)化的封裝�(jié)�(gòu)能夠有效降低寄生電感,并提升散熱性能�
� MOSFET � N 溝道增強(qiáng)型器�,主要通過降低�(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗來提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:40V
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
柵極電荷�26nC
連續(xù)漏極電流�118A
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝類型:QFN 5x6mm
最大功耗:16W
CSD59973BQ5MC 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和柵極電� (Qg),這使得它非常適合高頻開關(guān)�(yīng)�。低 Rds(on) 減少了導(dǎo)通狀�(tài)下的功率損耗,而低 Qg 則有助于�(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度和更低的開關(guān)損��
此外,該器件的高雪崩能力和堅(jiān)固的�(shè)�(jì)使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持可靠性。其小型化的 QFN 封裝不僅節(jié)省了 PCB 空間,還減少了封裝寄生效�(yīng),從而�(jìn)一步提升了整體性能�
CSD59973BQ5MC 還具備出色的熱性能,允許在較高的環(huán)境溫度下�(yùn)�,這對于高密度功率�(zhuǎn)換應(yīng)用至�(guān)重要�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
- 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
- 同步整流電路
- �(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)�
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)
- 服務(wù)器和通信電源模塊
- 筆記本電腦和移動(dòng)�(shè)備的充電解決方案
由于其高性能和緊湊尺�,CSD59973BQ5MC 在需要高功率密度和高效率的應(yīng)用場合表�(xiàn)尤為出色�
CSD18503Q5B, CSD18504Q5B