CSD85312Q3E是一款來自德州儀器(TI)的高性能氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET),采用熱增強型小尺寸QFN封裝。該器件將高效的GaN開關(guān)與優(yōu)化的柵極�(qū)動技�(shù)�(jié)合在一�,旨在提供更高的功率密度和效率。其適用于高頻開�(guān)�(yīng)用場�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、太陽能逆變器等。這款芯片通過減少寄生電感和優(yōu)化布局�(shè)計,能夠?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān)和低損耗性能�
該芯片內(nèi)置保護功能,確保在異常條件下�(wěn)定運�。此�,由于其高頻率工作能力,可以顯著減小無源元件體積,從而降低整體系�(tǒng)成本�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�41A
導通電阻:7.5mΩ
柵極電荷�19nC
開關(guān)頻率:高達數(shù)MHz
封裝形式:QFN 8x8mm
工作溫度范圍�-55℃至+150�
CSD85312Q3E的主要特點包括:
1. 高效GaN技�(shù):相比傳�(tǒng)硅MOSFET,具備更低的導通電阻和更少的能量損失�
2. 快速開�(guān)性能:超低的柵極電荷和輸出電荷支持高頻操�,提高功率轉(zhuǎn)換效��
3. 熱性能�(yōu)異:QFN封裝提供出色的散熱能�,適合高功率�(yīng)用場��
4. 減少外圍元件�(shù)量:得益于其高頻特�,可使用更小尺寸的磁性元件和電容�,從而節(jié)省PCB空間�
5. �(nèi)置保護功能:集成過流保護和短路保護機制,提高了系�(tǒng)的可靠��
6. 易于�(qū)動:兼容標準柵極�(qū)動信�,簡化了電路�(shè)計流程�
CSD85312Q3E適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):如AC-DC適配器和USB-PD充電��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于服�(wù)�、通信�(shè)備以及電動車中的高效能量�(zhuǎn)��
3. 電機�(qū)動:特別是需要快速動�(tài)響應(yīng)的應(yīng)用場��
4. 太陽能微型逆變器:提升光伏系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效��
5. 汽車電子:如車載充電器(OBC)、DC-DC變換器以及其他高壓應(yīng)��
6. 工業(yè)自動化:為各類工�(yè)�(shè)備提供可靠的功率控制解決方案�
CSD85311Q3E, CSD85321Q3E