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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > CSD85312Q3E

CSD85312Q3E 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 21:08:23 查看 閱讀�27

CSD85312Q3E是一款來自德州儀器(TI)的高性能氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET),采用熱增強型小尺寸QFN封裝。該器件將高效的GaN開關(guān)與優(yōu)化的柵極�(qū)動技�(shù)�(jié)合在一�,旨在提供更高的功率密度和效率。其適用于高頻開�(guān)�(yīng)用場�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、太陽能逆變器等。這款芯片通過減少寄生電感和優(yōu)化布局�(shè)計,能夠?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān)和低損耗性能�
  該芯片內(nèi)置保護功能,確保在異常條件下�(wěn)定運�。此�,由于其高頻率工作能力,可以顯著減小無源元件體積,從而降低整體系�(tǒng)成本�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�41A
  導通電阻:7.5mΩ
  柵極電荷�19nC
  開關(guān)頻率:高達數(shù)MHz
  封裝形式:QFN 8x8mm
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

CSD85312Q3E的主要特點包括:
  1. 高效GaN技�(shù):相比傳�(tǒng)硅MOSFET,具備更低的導通電阻和更少的能量損失�
  2. 快速開�(guān)性能:超低的柵極電荷和輸出電荷支持高頻操�,提高功率轉(zhuǎn)換效��
  3. 熱性能�(yōu)異:QFN封裝提供出色的散熱能�,適合高功率�(yīng)用場��
  4. 減少外圍元件�(shù)量:得益于其高頻特�,可使用更小尺寸的磁性元件和電容�,從而節(jié)省PCB空間�
  5. �(nèi)置保護功能:集成過流保護和短路保護機制,提高了系�(tǒng)的可靠��
  6. 易于�(qū)動:兼容標準柵極�(qū)動信�,簡化了電路�(shè)計流程�

�(yīng)�

CSD85312Q3E適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):如AC-DC適配器和USB-PD充電��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于服�(wù)�、通信�(shè)備以及電動車中的高效能量�(zhuǎn)��
  3. 電機�(qū)動:特別是需要快速動�(tài)響應(yīng)的應(yīng)用場��
  4. 太陽能微型逆變器:提升光伏系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換效��
  5. 汽車電子:如車載充電器(OBC)、DC-DC變換器以及其他高壓應(yīng)��
  6. 工業(yè)自動化:為各類工�(yè)�(shè)備提供可靠的功率控制解決方案�

替代型號

CSD85311Q3E, CSD85321Q3E

csd85312q3e推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

csd85312q3e資料 更多>

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csd85312q3e參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • 價格1 : �9.70000剪切帶(CT�2,500 : �4.41220卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 N 溝道(雙)共�
  • FET 功能邏輯電平柵極�5V �(qū)�
  • 漏源電壓(Vdss�20V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)39A
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)12.4 毫歐 @ 10A�8V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)15.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)2390pF @ 10V
  • 功率 - 最大�2.5W
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN
  • 供應(yīng)商器件封�8-VSON�3.3x3.3�