国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > CSD86356Q5D

CSD86356Q5D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 20:50:20 查看 閱讀�25

CSD86356Q5D是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率級開�(guān)器件,屬于Power Stage系列。它將柵極驅(qū)動器和增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體管集成在一�,旨在提高效�、減小尺寸并降低開關(guān)損耗,適用于高密度電源�(zhuǎn)換應(yīng)��
  該器件采用了QFN封裝形式,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特�,非常適合用于DC-DC�(zhuǎn)換器、POL�(wěn)壓器以及服務(wù)器和通信�(shè)備中的高效電源管理場��

參數(shù)

型號:CSD86356Q5D
  封裝:QFN 8x8mm
  最大額定電壓:60V
  最大額定電流:不直接指�,取決于�(fù)載條�
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(典型��25°C�
  工作溫度范圍�-40°C�+125°C
  輸入電容:~90pF
  反向恢復(fù)電荷:無(因GaN技�(shù)而消除體二極管)

特�

CSD86356Q5D的主要特性包括:
  1. 高效氮化鎵(GaN)技�(shù),提供卓越的開關(guān)性能和低�(dǎo)通損��
  2. �(nèi)置優(yōu)化的柵極�(qū)動器,簡化了�(shè)�(jì)流程并提高了系統(tǒng)�(wěn)定性�
  3. 超低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,減少了傳導(dǎo)損�,提升了整體效率�
  4. 快速開�(guān)速度和零反向恢復(fù)電荷,有效降低了開關(guān)損��
  5. 小巧的QFN封裝,有助于節(jié)省PCB空間�
  6. 支持高頻操作,使�(shè)�(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)更小的磁性元件和電容��
  7. 提供出色的熱性能和可靠�,適用于苛刻的工作環(huán)��
  CSD86356Q5D的這些特點(diǎn)使其成為�(xiàn)代高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

CSD86356Q5D主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(shù)�(jù)中心和云�(jì)算設(shè)備中的高效DC-DC�(zhuǎn)��
  2. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中的負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器�
  3. 高性能�(jì)算和圖形處理器(GPU)供電模��
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理單��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合�
  6. 筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備的適配器及充電解決方案�
  其高效的開關(guān)特性和緊湊的封裝形式使得CSD86356Q5D在各種高密度電源�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

替代型號

CSD88584Q5D,CSD86360Q5D

csd86356q5d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

csd86356q5d�(chǎn)�

csd86356q5d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�2,500 : �9.19406卷帶(TR�
  • 系列NexFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 配置2 �(gè) N 通道(半橋)
  • FET 功能邏輯電平柵極�5V �(qū)�
  • 漏源電壓(Vdss�25V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)40A(Ta�
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)4.5 毫歐 @ 20A�5V�0.8 毫歐 @ 20A�5V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)1.85V @ 250μA�1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)7.9nC @ 4.5V�19.3nC @ 4.5V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1040pF @ 12.5V�2510pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大�12W(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封�8-VSON-CLIP�5x6�