CSD87350Q5D是德州儀器(TI)推出的一款集成半橋驅(qū)動和功率MOSFET的高效率、低功耗氮化鎵(GaN)功率級器件。該芯片采用GaNPowertm技�(shù),專為同步降壓轉(zhuǎn)換器�(yīng)用設(shè)�,具有高頻開�(guān)能力,能夠顯著提升電源系�(tǒng)的功率密度和效率�
該器件將一個高�(cè)和低�(cè)增強(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體管(eGaN FET)與�(yōu)化的柵極�(qū)動器集成在一�,從而減少了寄生參數(shù)的影響并提高了整體性能。此外,它還支持快速的開關(guān)速度和低開關(guān)損�,非常適合高頻率DC-DC�(zhuǎn)換以及需要緊湊設(shè)計的�(yīng)用場景�
工作電壓�10V�60V
連續(xù)輸出電流:高�(dá)40A
RDS(on)(高�(cè)+低側(cè)):2.5mΩ典型�
柵極�(qū)動電壓:5V
封裝形式:HotRod? 8引腳四方扁平無引線(QFN)封�
工作溫度范圍�-40°C�+150°C
開關(guān)頻率:支持高�(dá)2MHz
CSD87350Q5D的主要特性包括以下幾點:
1. 集成了高�(cè)和低�(cè)氮化鎵場效應(yīng)晶體�,減少外部元件數(shù)��
2. �(nèi)置柵極驅(qū)動器,優(yōu)化了死區(qū)時間和交�?zhèn)�?dǎo)性能�
3. 超低�(dǎo)通電阻(RDS(on)�,降低了�(dǎo)通損��
4. 支持高頻操作,允許使用更小的電感和電�,從而減小解決方案尺��
5. 提供出色的熱性能,適合高功率密度�(yīng)��
6. 符合汽車級標(biāo)�(zhǔn)(AEC-Q101�(rèn)證),適用于�(yán)苛環(huán)境下的可靠運(yùn)��
7. �(nèi)部保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了系�(tǒng)可靠��
CSD87350Q5D廣泛�(yīng)用于多種高性能電源管理�(lǐng)�,包括:
1. 電信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的POL(負(fù)載點)轉(zhuǎn)換器�
2. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器及存儲�(shè)備的高效電源模塊�
3. 汽車電子系統(tǒng),例如DC-DC�(zhuǎn)換器和車載充電機(jī)�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的緊湊型電源解決方案�
5. 筆記本電腦適配器和其他消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的快充應(yīng)用�
6. 任何需要高效率、高頻開�(guān)和高功率密度的場��
CSD88599Q5D, CSD87374Q5D