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CSD87351Q5D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 15:39:15 查看 閱讀�24

CSD87351Q5D是德州儀器(TI)推出的基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的集成半橋功率級器件。它專為高頻開關(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),集成了兩�(gè)GaN FET(高邊和低邊)以及相�(yīng)的驅(qū)�(dòng)器電路。該器件采用QFN封裝,具備高效率、小尺寸和快速開�(guān)特性,非常適合于電源管�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
  通過將驅(qū)�(dòng)器與GaN FET集成在一�,CSD87351Q5D顯著降低了寄生電感的影響,從而減少了開關(guān)損耗并提高了整體效�。同�(shí),其高頻工作能力允許使用更小的無源元�,從而減小了整�(gè)系統(tǒng)的體積和成本�

參數(shù)

類型:功率級
  工藝技�(shù):GaN
  封裝形式:QFN (5mm x 6mm)
  輸入電壓范圍�4.5V � 17V
  輸出電流峰值:120A
  RDS(on) 高邊FET�9mΩ
  RDS(on) 低邊FET�6mΩ
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  開關(guān)頻率:高�(dá)2MHz
  �(qū)�(dòng)器供電電壓:4.5V � 17V

特�

1. 集成高性能GaN FET與驅(qū)�(dòng)�,減少寄生效�(yīng)和開�(guān)損耗�
  2. 支持高頻操作,適合小型化�(shè)�(jì)需求�
  3. 提供低導(dǎo)通電阻以提高效率�
  4. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)系統(tǒng)可靠��
  5. 小型QFN封裝,節(jié)省PCB空間�
  6. 適用于寬輸入電壓范圍的應(yīng)用場景�
  7. 具備�(yōu)異的熱性能,確保在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  8. 減少了外部元件數(shù)�,簡化了電路�(shè)�(jì)流程�
  這些特性使得CSD87351Q5D成為高效�、高頻DC-DC�(zhuǎn)換器和負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器的理想選��

�(yīng)�

1. �(shù)�(jù)中心和電信設(shè)備中的高密度電源模塊�
  2. 筆記本電腦和服務(wù)器的多相電壓�(diào)節(jié)��
  3. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器應(yīng)��
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的適配器和充電��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源解決方��
  7. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的車載充電器及DC-DC�(zhuǎn)換器�
  CSD87351Q5D憑借其高效率和高頻特�,在上述�(yīng)用中能夠顯著提升系統(tǒng)性能并降低整體成��

替代型號

CSD87350Q5D

csd87351q5d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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csd87351q5d參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊NexFET MOSFET Technology
  • 視頻文件PowerStack? Packaging Technology Overview
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列NexFET™
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C32A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.6 毫歐 @ 20A�8V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs7.7nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1255pF @ 15V
  • 功率 - 最�12W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-LDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SON�5x6�
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-28327-6