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CSD87352Q5D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 17:24:03 查看 閱讀�21

CSD87352Q5D是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率級(jí)芯片,專為高�、高效能�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用了集成驅(qū)�(dòng)器和FET的結(jié)�(gòu),具有高效率、小尺寸和快速開�(guān)的特�(diǎn),適合用于同步降壓轉(zhuǎn)換器和其他高頻功率轉(zhuǎn)換電��
  通過將GaN FET與優(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)器集成在一�(gè)小型封裝�,CSD87352Q5D可以顯著降低開關(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�

參數(shù)

型號(hào):CSD87352Q5D
  類型:GaN功率�(jí)
  工作電壓�10V-60V
  連續(xù)漏極電流�24A
  RDS(on)�9mΩ(典型值)
  開關(guān)頻率:高�(dá)2MHz
  封裝:QFN 8x8mm
  工作溫度范圍�-40°C�125°C
  熱阻(結(jié)到殼):1°C/W

特�

CSD87352Q5D采用增強(qiáng)型GaN技�(shù),能�?qū)崿F(xiàn)比傳�(tǒng)硅MOSFET更高的開�(guān)速度和更低的�(dǎo)通電�。其集成的驅(qū)�(dòng)器經(jīng)過優(yōu)�,可有效減少寄生電感的影響,并提升系�(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��
  此外,這款器件還具備出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)行。它的緊湊封裝使其非常適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)支持高效的散熱管��
  主要特點(diǎn)包括�
  - 高效的GaN技�(shù)
  - �(nèi)置優(yōu)化驅(qū)�(dòng)�
  - 極低的RDS(on)
  - 快速開�(guān)能力
  - 減少電磁干擾的設(shè)�(jì)
  - �(qiáng)大的熱性能

�(yīng)�

CSD87352Q5D廣泛�(yīng)用于需要高性能電源管理的領(lǐng)�,例如數(shù)�(jù)中心服務(wù)器電�、電信設(shè)備、工�(yè)自動(dòng)�、電�(dòng)汽車充電系統(tǒng)以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的適配器�
  具體�(yīng)用包括:
  - 同步降壓�(zhuǎn)換器
  - DC-DC�(zhuǎn)換模�
  - 開關(guān)電源(SMPS�
  - 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)
  - 快速充電解決方�
  由于其高頻操作能力和高效�,CSD87352Q5D特別適合那些�(duì)尺寸和效率有�(yán)格要求的�(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

CSD87351Q5D
  CSD87353Q5D

csd87352q5d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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csd87352q5d�(chǎn)�

csd87352q5d參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊NexFET MOSFET Technology
  • 視頻文件PowerStack? Packaging Technology Overview
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列NexFET™
  • FET �2 �(gè) N 溝道(雙�
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C25A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C-
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.15V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs12.5nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1800pF @ 15V
  • 功率 - 最�8W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-LDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SON�5x6�
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱296-29161-6