CSD87352Q5D是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率級(jí)芯片,專為高�、高效能�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用了集成驅(qū)�(dòng)器和FET的結(jié)�(gòu),具有高效率、小尺寸和快速開�(guān)的特�(diǎn),適合用于同步降壓轉(zhuǎn)換器和其他高頻功率轉(zhuǎn)換電��
通過將GaN FET與優(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)器集成在一�(gè)小型封裝�,CSD87352Q5D可以顯著降低開關(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
型號(hào):CSD87352Q5D
類型:GaN功率�(jí)
工作電壓�10V-60V
連續(xù)漏極電流�24A
RDS(on)�9mΩ(典型值)
開關(guān)頻率:高�(dá)2MHz
封裝:QFN 8x8mm
工作溫度范圍�-40°C�125°C
熱阻(結(jié)到殼):1°C/W
CSD87352Q5D采用增強(qiáng)型GaN技�(shù),能�?qū)崿F(xiàn)比傳�(tǒng)硅MOSFET更高的開�(guān)速度和更低的�(dǎo)通電�。其集成的驅(qū)�(dòng)器經(jīng)過優(yōu)�,可有效減少寄生電感的影響,并提升系�(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��
此外,這款器件還具備出色的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)行。它的緊湊封裝使其非常適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)支持高效的散熱管��
主要特點(diǎn)包括�
- 高效的GaN技�(shù)
- �(nèi)置優(yōu)化驅(qū)�(dòng)�
- 極低的RDS(on)
- 快速開�(guān)能力
- 減少電磁干擾的設(shè)�(jì)
- �(qiáng)大的熱性能
CSD87352Q5D廣泛�(yīng)用于需要高性能電源管理的領(lǐng)�,例如數(shù)�(jù)中心服務(wù)器電�、電信設(shè)備、工�(yè)自動(dòng)�、電�(dòng)汽車充電系統(tǒng)以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的適配器�
具體�(yīng)用包括:
- 同步降壓�(zhuǎn)換器
- DC-DC�(zhuǎn)換模�
- 開關(guān)電源(SMPS�
- 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)
- 快速充電解決方�
由于其高頻操作能力和高效�,CSD87352Q5D特別適合那些�(duì)尺寸和效率有�(yán)格要求的�(shè)�(jì)�
CSD87351Q5D
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