CSD88539ND是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率級芯片。它集成了柵極驅(qū)動器和GaN FET,專為高性能DC/DC�(zhuǎn)�、POL(Point of Load)調(diào)節(jié)以及其它需要高效率和高密度解決方案的應(yīng)用而設(shè)計�
該器件通過�(yōu)化開�(guān)性能和導通電�,顯著提升了功率密度并降低了功耗,非常適合�(shù)�(jù)中心、電信基�(chǔ)�(shè)施和工業(yè)�(yīng)用中的電源系�(tǒng)�
最大額定電壓:60V
連續(xù)漏極電流�47A
RDS(on)�2.5mΩ
開關(guān)頻率:高�1MHz
封裝類型:QFN 8x8mm
工作溫度范圍�-40℃至125�
輸入電容�1.1nF
輸出電荷�13nC
CSD88539ND采用先進的GaN技�(shù),具有非常低的導通電阻和超快的開�(guān)速度,從而實�(xiàn)高效率和高功率密度的�(shè)��
其集成式�(jié)�(gòu)簡化了電路設(shè)�,減少了外圍元件�(shù)��
此外,這款芯片具備出色的熱性能,能夠在高頻操作下維持較低的工作溫度�
GaN FET的使用使得開�(guān)損耗大幅降�,并支持更高頻率的操作,從而減小無源元件的尺寸,進一步提升整體系�(tǒng)的功率密度�
�(nèi)置保護功能增強了系統(tǒng)的可靠�,例如過流保護和短路保護�
CSD88539ND適用于多種高要求的應(yīng)用場景,包括但不限于�
1. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器和�(wǎng)�(luò)交換機中的高效DC/DC�(zhuǎn)換模��
2. 電信基站中的POL�(zhuǎn)換器�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理單��
4. 圖形處理器(GPU)供電以及其他對效率和空間有嚴格要求的負載點�(yīng)��
5. 高頻AC/DC適配器和充電器設(shè)��
CSD88538N, CSD88589N