CSD96497Q5MC 是一款由 TI(德州儀器)生產(chǎn)的高性能 NexFET 功率 MOSFET,采用先�(jìn)的封裝技�(shù)�(shè)�,旨在優(yōu)化效率和熱性能。該器件特別適用于高頻開�(guān)�(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點�(zhuǎn)換器(POL)、電�(jī)�(qū)動以及分布式電源系統(tǒng)�
這款功率 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,可以顯著降低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率。同�,其小型封裝使其非常適合空間受限的設(shè)��
型號:CSD96497Q5MC
封裝:QFN (WSON)
漏源極電�(Vds)�30V
連續(xù)漏極電流(Id)�48A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.2mΩ
柵極電荷(Qg)�29nC
工作溫度范圍�-55°C � 150°C
封裝尺寸�5mm x 6mm
CSD96497Q5MC 的主要特點是其超低的�(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高效率的開�(guān)性能。該器件采用 TI � NexFET 技�(shù),提供卓越的熱管理和更低的功��
以下是其�(guān)鍵特性:
- 極低� Rds(on),有助于減少�(dǎo)通損�,適合高電流�(yīng)��
- 快速開�(guān)能力,支持高頻操作,從而減小無源元件的尺寸�
- �(yōu)化的封裝�(shè)�,可改善散熱性能并增�(qiáng)可靠��
- 高度集成,減少了外圍元件�(shù)量,降低了系�(tǒng)�(fù)雜��
- 廣泛的工作溫度范�,確保在極端條件下也能穩(wěn)定運(yùn)��
此外,CSD96497Q5MC 還具備出色的抗電磁干擾能力和耐用�,能夠在惡劣�(huán)境下長期使用�
CSD96497Q5MC 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- 服務(wù)器和通信�(shè)備中的負(fù)載點�(zhuǎn)換器 (POL)�
- 筆記本電腦和臺式�(jī)的電源管理系�(tǒng)�
- 工業(yè)自動化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)動電��
- 分布式電源架�(gòu)中的 DC-DC �(zhuǎn)換器�
- 高效照明系統(tǒng)的驅(qū)動電��
- 各種便攜式電子設(shè)備的充電解決方案�
由于其出色的性能和可靠�,CSD96497Q5MC 成為眾多工程師在�(shè)計高效率功率�(zhuǎn)換電路時的首��
CSD97324Q5B
CSD97326Q5B