CSD97395Q4M是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT)。該器件采用了增強型GaN工藝,具有極低的導通電阻和快速開關性能,廣泛應用于高頻、高效功率轉換場景。其封裝形式為QFN-10�2.5mm x 2.5mm�,適合緊湊型設計�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�20A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�3nC
反向恢復時間�20ns
工作結溫范圍�-55℃至+150�
CSD97395Q4M是一款高性能的GaN FET,具備以下顯著特點:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),僅為1.5mΩ,在高頻應用中能夠顯著降低導通損耗�
2. 快速開關速度,得益于其低柵極電荷和輸出電�,非常適合硬開關和軟開關拓撲�
3. 高熱效率和耐熱�,能夠在高達150°C的工作結溫下�(wěn)定運��
4. 內置ESD保護電路,提升了器件在實際應用中的可靠��
5. 小尺寸QFN-10封裝,節(jié)省PCB空間并簡化布局設計�
6. 支持寬禁帶半導體的高頻操作特�,適用于新一代電源管理解決方案�
CSD97395Q4M因其卓越的性能而被廣泛應用于多種領�,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC轉換�,尤其是用于服務�、通信設備和工�(yè)自動化中的高效功率模��
3. 圖形處理器(GPU)和中央處理器(CPU)供電系�(tǒng)�
4. 消費類電子產品中的快充適配器�
5. 電機驅動和其他需要高�、高效功率切換的應用場景�
CSD97382Q4, CSD97383Q4M