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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSPEMI200A01R

CSPEMI200A01R 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 19:48:47 查看 閱讀�24

CSPEMI200A01R是一款基于碳化硅(SiC)材料設(shè)�(jì)的MOSFET功率晶體�,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,廣泛�(yīng)用于電動(dòng)汽車充電、太陽能逆變�、不間斷電源(UPS�、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。其封裝形式通常為TO-247或表面貼裝形�,具有良好的散熱性能�

參數(shù)

額定電壓�650V
  額定電流�200A
  �(dǎo)通電阻:1.0mΩ
  柵極電荷�80nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:50ns
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

CSPEMI200A01R采用了碳化硅技�(shù),相比傳�(tǒng)硅基MOSFET,它具有更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損�。此�,它的熱�(wěn)定性和可靠性更�,能夠在更高的結(jié)溫下�(yùn)�。同�(shí),由于其快速的開關(guān)速度,能夠有效減少電磁干擾(EMI�,并支持更高的工作頻�,從而減小系�(tǒng)中的磁性元件體�。該器件還具備短路保�(hù)能力和魯棒的體二極管特性,非常適合要求高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��
  主要特點(diǎn)包括�
  1. 超低�(dǎo)通電�,降低傳�(dǎo)損耗�
  2. 快速開�(guān)特�,減少開�(guān)損��
  3. 高溫工作能力,適合嚴(yán)苛環(huán)境�
  4. 緊湊型設(shè)�(jì),優(yōu)化PCB布局�

�(yīng)�

CSPEMI200A01R適用于多種高功率密度�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電源和轉(zhuǎn)換器�
  2. 太陽能光伏逆變��
  3. 電動(dòng)汽車車載充電器(OBC)和充電��
  4. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
  5. 高效電機(jī)�(qū)�(dòng)和伺服控��
  6. DC-DC�(zhuǎn)換器和其他需要高頻、高效工作的電力電子�(shè)��

替代型號(hào)

C2M0065024D, SCT200N65,
  FF200R07W2

cspemi200a01r推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)