CSPEMI200A01R是一款基于碳化硅(SiC)材料設(shè)�(jì)的MOSFET功率晶體�,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,廣泛�(yīng)用于電動(dòng)汽車充電、太陽能逆變�、不間斷電源(UPS�、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。其封裝形式通常為TO-247或表面貼裝形�,具有良好的散熱性能�
額定電壓�650V
額定電流�200A
�(dǎo)通電阻:1.0mΩ
柵極電荷�80nC
反向恢復(fù)�(shí)間:50ns
工作溫度范圍�-55� � 175�
CSPEMI200A01R采用了碳化硅技�(shù),相比傳�(tǒng)硅基MOSFET,它具有更低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損�。此�,它的熱�(wěn)定性和可靠性更�,能夠在更高的結(jié)溫下�(yùn)�。同�(shí),由于其快速的開關(guān)速度,能夠有效減少電磁干擾(EMI�,并支持更高的工作頻�,從而減小系�(tǒng)中的磁性元件體�。該器件還具備短路保�(hù)能力和魯棒的體二極管特性,非常適合要求高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��
主要特點(diǎn)包括�
1. 超低�(dǎo)通電�,降低傳�(dǎo)損耗�
2. 快速開�(guān)特�,減少開�(guān)損��
3. 高溫工作能力,適合嚴(yán)苛環(huán)境�
4. 緊湊型設(shè)�(jì),優(yōu)化PCB布局�
CSPEMI200A01R適用于多種高功率密度�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 工業(yè)電源和轉(zhuǎn)換器�
2. 太陽能光伏逆變��
3. 電動(dòng)汽車車載充電器(OBC)和充電��
4. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
5. 高效電機(jī)�(qū)�(dòng)和伺服控��
6. DC-DC�(zhuǎn)換器和其他需要高頻、高效工作的電力電子�(shè)��
C2M0065024D, SCT200N65,
FF200R07W2