CSPEMI307A是一款高性能的MOSFET功率晶體管,采用TO-252封裝形式。該器件適用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用場合,能夠提供高效率和可靠的性能表現(xiàn)。它具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,從而有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
CSPEMI307A屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其設(shè)計(jì)旨在滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和緊湊尺寸的需求。通過優(yōu)化的半導(dǎo)體工藝,該器件能夠在高頻條件下保持穩(wěn)定的性能,同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用性。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:7A
導(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極電荷:18nC
開關(guān)時(shí)間:典型值ton=15ns,toff=25ns
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
CSPEMI307A的主要特性包括低導(dǎo)通電阻以減少傳導(dǎo)損耗,快速的開關(guān)速度以適應(yīng)高頻應(yīng)用,以及高雪崩能量能力以增強(qiáng)魯棒性。
此外,該器件還具備以下特點(diǎn):
- 良好的熱性能,有助于散熱管理。
- 高可靠性,在嚴(yán)苛環(huán)境下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
- 小型化封裝,節(jié)省PCB空間。
- 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合全球市場應(yīng)用。
CSPEMI307A廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域,例如消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的開關(guān)電源適配器、筆記本電腦充電器、LED驅(qū)動(dòng)器等;工業(yè)控制領(lǐng)域的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路、電磁閥控制器;通信設(shè)備中的DC-DC轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載開關(guān)等場景。
具體來說,這款MOSFET適合需要高效功率轉(zhuǎn)換和緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用,例如:
- 開關(guān)模式電源(SMPS)
- 同步整流電路
- 電池管理系統(tǒng)(BMS)
- 智能家居設(shè)備中的功率管理模塊
CSPEMI307D
IRFZ44N
FDP5800