CT4N35(S)(T1) 是一� N 溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET�,廣泛應用于開關電源、電機驅動和負載切換等場�。該器件具有低導通電�、快速開關速度和高耐壓能力,適合需要高效能和高可靠性的電路設計�
CT4N35(S)(T1) 的封裝形式通常� TO-220,能夠提供出色的散熱性能,并且具備較高的電流處理能力�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�8A
導通電阻:1.2Ω
柵極電荷�30nC
總功耗:115W
工作溫度范圍�-55� to +175�
CT4N35(S)(T1) 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:額定漏源電壓高� 600V,適用于高壓應用�(huán)境�
2. 低導通電阻:在特定工作條件下,其導通電阻僅� 1.2Ω,從而降低了導通損��
3. 快速開關速度:由于其較低的柵極電荷(30nC�,可以實�(xiàn)快速開�,減少開關損耗�
4. 高可靠性:能夠在寬溫范圍內�(wěn)定工�,適應各種惡劣環(huán)��
5. 熱穩(wěn)定性好:采� TO-220 封裝,具備良好的散熱性能,可承受較高功��
CT4N35(S)(T1) 主要用于以下領域�
1. 開關電源� DC-DC 轉換器中的主開關元件�
2. 電機驅動電路中作為功率開關或保護元件�
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關�
4. 各種工業(yè)設備中的功率控制模塊�
5. LED 照明驅動電路中的功率級元��
IRFZ44N, STP16NF06L, FQP16N60