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CY14B104NA-BA45XI 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/28 19:31:44 查看 閱讀：33

CY14B104NA-BA45XI 是一款由 Cypress（賽普拉斯）公司生產(chǎn)的串行 EEPROM 芯片。該芯片采用 SPI 接口，具有低功耗和高可靠性的特點(diǎn)，適用于需要非易失性存儲(chǔ)的各種應(yīng)用場(chǎng)合。它支持 1.71V 至 3.6V 的寬電壓范圍，非常適合電池供電設(shè)備。
　　該芯片的存儲(chǔ)容量為 1Mb（128K x 8），并且支持頁(yè)寫(xiě)入模式，能夠有效提升寫(xiě)入速度和數(shù)據(jù)完整性。此外，CY14B104NA-BA45XI 還具有多種保護(hù)機(jī)制，例如寫(xiě)保護(hù)引腳和自動(dòng)地址增量功能，確保數(shù)據(jù)的安全性和操作的便捷性。

參數(shù)

工作電壓：1.71V - 3.6V
　　接口類(lèi)型：SPI
　　存儲(chǔ)容量：1Mb (128K x 8)
　　工作溫度：-40°C 至 +85°C
　　封裝形式：SOIC-8
　　擦寫(xiě)次數(shù)：1,000,000 次
　　數(shù)據(jù)保存時(shí)間：100 年
　　時(shí)鐘頻率：最高 10MHz

特性

1. 支持高達(dá) 10MHz 的 SPI 時(shí)鐘頻率，可實(shí)現(xiàn)快速的數(shù)據(jù)傳輸。
　　2. 寬工作電壓范圍（1.71V 至 3.6V），適應(yīng)性強(qiáng)。
　　3. 內(nèi)置寫(xiě)保護(hù)功能，防止意外數(shù)據(jù)覆蓋。
　　4. 自動(dòng)地址遞增功能，簡(jiǎn)化連續(xù)讀寫(xiě)操作。
　　5. 高可靠性設(shè)計(jì)，擦寫(xiě)壽命達(dá) 100 萬(wàn)次，數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)達(dá) 100 年。
　　6. 小型封裝（SOIC-8），節(jié)省 PCB 空間。
　　7. 低功耗設(shè)計(jì)，適合便攜式和電池供電設(shè)備。

應(yīng)用

1. 工業(yè)控制中的參數(shù)設(shè)置和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
　　2. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中用戶偏好和配置信息的保存。
　　3. 醫(yī)療設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)記錄。
　　4. 通信設(shè)備中的固件更新和網(wǎng)絡(luò)配置存儲(chǔ)。
　　5. 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的傳感器數(shù)據(jù)記錄。
　　6. 手持設(shè)備中的歷史數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

替代型號(hào)

CY14B104QI-SXI
　　CY14B104PI-SXI
　　CY14B104NI-SXI

cy14b104na-ba45xi推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

cy14b104na-ba45xi參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表CY14B104LA/NA
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝299
  • 類(lèi)別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲(chǔ)器
  • 系列-
  • 格式 - 存儲(chǔ)器RAM
  • 存儲(chǔ)器類(lèi)型NVSRAM（非易失 SRAM）
  • 存儲(chǔ)容量4M (256K x 16)
  • 速度45ns
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓2.7 V ~ 3.6 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼48-TFBGA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝48-FBGA（6x10）
  • 包裝托盤(pán)