CY27C512-200WMB � Cypress 公司生產(chǎn)的一� CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�,其容量� 64K x 8 位(� 512KB)。這款芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有高可靠性和低功耗的特點(diǎn),適用于各種嵌入式系�(tǒng)和工�(yè)�(yīng)�。該器件支持快速訪問時(shí)間,并能在廣泛的溫度范圍�(nèi)�(wěn)定工��
� SRAM 芯片的封裝形式為 28 引腳塑料 DIP 封裝� SOIC 封裝,適合表面貼裝和通孔安裝兩種方式�
容量�64K x 8 �
訪問�(shí)間:200ns
電壓范圍�4.5V � 5.5V
工作溫度�0°C � +70°C
封裝形式�28 引腳 DIP/SOIC
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:無限�
接口類型:并�
CY27C512-200WMB 的主要特性包括:
1. 高速存取能�,支� 200ns 的典型訪問時(shí)間,確保�(shí)�(shí)�(yīng)用的需��
2. CMOS 技�(shù)帶來低功耗優(yōu)�(shì),在待機(jī)模式下幾乎不消耗電流�
3. 寬工作電壓范圍(4.5V � 5.5V�,使其能夠在多種電源�(huán)境下正常�(yùn)行�
4. 支持靜態(tài)存儲(chǔ)技�(shù),無需刷新操作即可�(zhǎng)期保存數(shù)�(jù)�
5. 提供工業(yè)�(jí)的工作溫度范圍(0°C � +70°C�,滿足大多數(shù)�(huán)境下的使用需求�
6. 并行接口�(shè)�(jì),便于與微控制器、DSP 或其他處理器連接�
7. �(jiǎn)單可靠的寫入/讀出操�,無需�(fù)雜時(shí)序控��
CY27C512-200WMB 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的緩存和臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
2. 嵌入式系�(tǒng)中的程序和數(shù)�(jù)緩沖�
3. �(yī)療儀�、測(cè)試測(cè)量設(shè)備的�(shù)�(jù)暫存�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的快速數(shù)�(jù)交換�
5. 顯示�(qū)�(dòng)電路中的幀緩沖區(qū)�
6. 通信�(shè)備中的數(shù)�(jù)包緩沖功��
7. 各種需要高速數(shù)�(jù)處理的應(yīng)用場(chǎng)��
CY27C512-25LVJC, CY27C512-20AC, CY27C512-20PC