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CY62157EV30LL-45ZSXIT 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/28 9:17:56 查看 閱讀：35

CY62157EV30LL-45ZSXIT是 Cypress Semiconductor（現(xiàn)為 Infineon Technologies）生產(chǎn)的一款低功耗靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）。該芯片采用CMOS工藝制造，具備高速、低功耗和高可靠性的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于需要快速數(shù)據(jù)訪問(wèn)和臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)景。
　　這款SRAM芯片具有1M x 16位的存儲(chǔ)容量，總?cè)萘繛?6Mb。其設(shè)計(jì)適合工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用環(huán)境，能夠在較寬的工作電壓和溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。

參數(shù)

存儲(chǔ)容量：16Mb
　　組織方式：1M x 16
　　核心電壓：3.3V
　　工作電流：90mA
　　待機(jī)電流：2μA
　　訪問(wèn)時(shí)間：45ns
　　封裝類型：TQFP
　　引腳數(shù)量：44
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C

特性

1. 高速性能：該芯片的訪問(wèn)時(shí)間為45ns，確保了極快的數(shù)據(jù)讀寫速度，適用于實(shí)時(shí)性和速度要求較高的系統(tǒng)。
　　2. 低功耗設(shè)計(jì)：待機(jī)電流僅為2μA，非常適合電池供電設(shè)備或?qū)拿舾械膽?yīng)用。
　　3. 寬工作電壓范圍：支持3.3V的核心電壓，兼容多種電源環(huán)境。
　　4. 可靠性：該芯片具有較強(qiáng)的抗干擾能力，并能在工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 簡(jiǎn)單接口：無(wú)需刷新操作，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度，減少了硬件和軟件開(kāi)銷。
　　6. 商業(yè)與工業(yè)級(jí)選項(xiàng)：可滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求，無(wú)論是消費(fèi)類電子產(chǎn)品還是工業(yè)控制領(lǐng)域都適用。

應(yīng)用

CY62157EV30LL-45ZSXIT廣泛應(yīng)用于需要高性能和低功耗存儲(chǔ)解決方案的場(chǎng)景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備：如PLC控制器、人機(jī)界面等。
　　2. 通信設(shè)備：例如路由器、交換機(jī)中的緩存存儲(chǔ)。
　　3. 醫(yī)療設(shè)備：用于存儲(chǔ)關(guān)鍵的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)，如監(jiān)護(hù)儀、超聲設(shè)備。
　　4. 消費(fèi)電子：游戲機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他需要快速數(shù)據(jù)訪問(wèn)的設(shè)備。
　　5. 嵌入式系統(tǒng)：用作處理器的外部高速緩存或臨時(shí)數(shù)據(jù)緩沖區(qū)。

替代型號(hào)

CY62157EV30LL-55, CY62157EV30WV102416BLL-45-Tr

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cy62157ev30ll-45zsxit產(chǎn)品

cy62157ev30ll-45zsxit參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲(chǔ)器
  • 系列MoBL®
  • 格式 - 存儲(chǔ)器RAM
  • 存儲(chǔ)器類型SRAM - 異步
  • 存儲(chǔ)容量8M（512K x 16）
  • 速度45ns
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓2.2 V ~ 3.6 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝44-TSOP II
  • 包裝帶卷 (TR)