D3S5M是一種高性能的功率MOSFET器件,廣泛應用于開關電源、電機驅動和逆變器等領域。該器件采用先進的半導體制造工藝,具有較低的導通電阻和較高的電流承載能�,能夠在高頻條件下提供高效的電力轉換性能�
該器件的工作電壓范圍較寬,能夠適應多種電路需�。同時,其封裝形式設計緊�,便于在高密度電路板上進行布局和安��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�120A
導通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�75nC
總電容:1200pF
功耗:180W
工作溫度范圍�-55℃至150�
具有低導通電阻的特點,這使得它在大電流應用中能夠顯著降低功率損�。此外,其快速開關特性和低柵極電荷使其非常適合高頻開關應��
器件還具備良好的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持可靠的性能。另外,它的抗靜電能力較�,能夠有效防止因靜電放電引起的損壞�
D3S5M采用了先進的封裝技�,確保了電氣連接的可靠性和散熱性能的優(yōu)化。這些特點使它成為工業(yè)級和汽車級應用的理想選擇�
主要應用于需要高效功率轉換和高電流承載能力的場景,例如電動汽車的電機控制�、太陽能逆變�、不間斷電源(UPS)系�(tǒng)以及各種類型的DC-DC轉換��
此外,它也常用于消費電子產品的快速充電適配器和筆記本電腦電源適配器中,以實現(xiàn)更高的充電效率和更小的體積設��
由于其出色的性能和可靠�,該器件還可用于工業(yè)自動化設備中的伺服驅動器和機器人控制系統(tǒng)等關鍵部位�
D3S5H, D4S6M, IRF3205