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D45H8G 發(fā)布時間 時間:2023/1/29 17:13:09 查看 閱讀:830

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:晶體管(BJT) - 單路
系列:-
晶體管類型:PNP
電流 - 集電極 (Ic)(最大):10A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V

目錄

概述

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:晶體管(BJT) - 單路
系列:-
晶體管類型:PNP
電流 - 集電極 (Ic)(最大):10A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):60V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):1V @ 400mA, 8A
電流 - 集電極截止(最大):10μA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):40 @ 4A, 1V
功率 - 最大:2W
頻率 - 轉(zhuǎn)換:40MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 (直引線)
包裝:管件
供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220AB
其它名稱:D45H8GOS

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d45h8g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類型PNP
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)10A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)60V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)1V @ 400mA,8A
  • 電流 - 集電極截止(最大)10µA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)40 @ 4A,1V
  • 功率 - 最大2W
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換40MHz
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱D45H8GOS