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D45H8G 發(fā)布時間 時間：2023/1/29 17:13:09 查看 閱讀：830

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：晶體管(BJT) - 單路
系列：-
晶體管類型：PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：10A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V

目錄

概述

類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：晶體管(BJT) - 單路
系列：-
晶體管類型：PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：10A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：60V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：1V @ 400mA, 8A
電流 - 集電極截止（最大）：10μA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：40 @ 4A, 1V
功率 - 最大：2W
頻率 - 轉(zhuǎn)換：40MHz
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 (直引線)
包裝：管件
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB
其它名稱：D45H8GOS

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d45h8g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類型PNP
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）10A
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）60V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）1V @ 400mA，8A
  • 電流 - 集電極截止（最大）10µA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)40 @ 4A，1V
  • 功率 - 最大2W
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換40MHz
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱D45H8GOS