DAN217T146 是一款高性能� N 沆道� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要用于開關和功率管理應用。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導通電阻和高電流處理能力的特點,廣泛應用于需要高效能和低功耗的設計場景��
這種型號屬于邏輯電平驅動系列,能夠在較低的柵極電壓下實現(xiàn)高效的開關操�,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��
類型:N 沆道� MOSFET
最大漏源電壓(Vds):150 V
最大柵源電壓(Vgs):±20 V
持續(xù)漏極電流(Id):80 A
導通電阻(Rds(on)):4.5 mΩ
柵極電荷(Qg):85 nC
開關速度:快速開�
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
DAN217T146 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電�,能夠減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,適用于大功率應用環(huán)境�
3. 快速開關性能,有助于降低開關損耗并提升動態(tài)響應�
4. 較寬的工作溫度范�,適應極端條件下的使用需��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設計要��
6. 良好的熱�(wěn)定�,確保長時間運行時的可靠��
DAN217T146 主要應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的功率轉換電��
2. 電機驅動器中的逆變器和控制��
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載開關和保護電路�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的點火控制和電源分��
6. LED 照明系統(tǒng)的調光和驅動電路�
DAN217T1G, IRFZ44N, FDP55N10