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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > DAN217T146

DAN217T146 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 15:47:42 查看 閱讀�21

DAN217T146 是一款高性能� N 沆道� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要用于開關和功率管理應用。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導通電阻和高電流處理能力的特點,廣泛應用于需要高效能和低功耗的設計場景��
  這種型號屬于邏輯電平驅動系列,能夠在較低的柵極電壓下實現(xiàn)高效的開關操�,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

類型:N 沆道� MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):150 V
  最大柵源電壓(Vgs):±20 V
  持續(xù)漏極電流(Id):80 A
  導通電阻(Rds(on)):4.5 mΩ
  柵極電荷(Qg):85 nC
  開關速度:快速開�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

DAN217T146 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電�,能夠減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能�,適用于大功率應用環(huán)境�
  3. 快速開關性能,有助于降低開關損耗并提升動態(tài)響應�
  4. 較寬的工作溫度范�,適應極端條件下的使用需��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設計要��
  6. 良好的熱�(wěn)定�,確保長時間運行時的可靠��

應用

DAN217T146 主要應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的功率轉換電��
  2. 電機驅動器中的逆變器和控制��
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
  4. 工業(yè)自動化設備中的負載開關和保護電路�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的點火控制和電源分��
  6. LED 照明系統(tǒng)的調光和驅動電路�

替代型號

DAN217T1G, IRFZ44N, FDP55N10

dan217t146推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
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dan217t146資料 更多>

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dan217t146參數(shù)

  • 產品培訓模塊Diodes Overview
  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭二極�,整流器 - 陣列
  • 系列-
  • 電壓 - � If 時為正向 (Vf)(最大)1.2V @ 100mA
  • 電流 - � Vr 時反向漏�100nA @ 70V
  • 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管�100mA
  • 電壓 - (Vr)(最大)80V
  • 反向恢復時間(trr)4ns
  • 二極管類�標準
  • 速度小信� =
  • 二極管配�1 對串�(lián)
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SMD3
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱DAN217T146DKR