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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DFU1N60

DFU1N60 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 19:29:22 查看 閱讀�33

DFU1N60是一款高性能的N溝道功率MOSFET,采用TO-252封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種電源管理�(chǎng)景中。其耐壓值為600V,適合在高壓�(huán)境中使用,例如開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域�
  DFU1N60通過(guò)�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì)和制造工�,能夠有效降低功耗并提升效率,同�(shí)具備良好的熱性能,確保在高負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  最大柵源電壓:±20V
  漏極電流(連續(xù)):1A
  漏極電流(脈沖)�4.3A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�700Ω
  柵極電荷�30nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=85ns,toff=45ns
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

DFU1N60采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造技�(shù),具備以下主要特�(diǎn)�
  1. 高擊穿電壓(600V�,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 超低�(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力,可以滿足高頻開(kāi)�(guān)電路的需��
  4. �(qiáng)大的雪崩能量承受能力,增�(qiáng)了器件的可靠��
  5. 小型化的TO-252封裝形式,便于安裝與布局�
  6. 支持寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)不同�(huán)境下的應(yīng)用需求�

�(yīng)�

該MOSFET適用于以下典型應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)元件�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主�(kāi)�(guān)�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制�
  4. 各種工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 電池保護(hù)及充電管理電��
  6. 光伏逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換部分�

替代型號(hào)

IRF640N
  FQP13N60
  STP1NR60E

dfu1n60推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)