DFU1N60是一款高性能的N溝道功率MOSFET,采用TO-252封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種電源管理�(chǎng)景中。其耐壓值為600V,適合在高壓�(huán)境中使用,例如開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域�
DFU1N60通過(guò)�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì)和制造工�,能夠有效降低功耗并提升效率,同�(shí)具備良好的熱性能,確保在高負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)��
最大漏源電壓:600V
最大柵源電壓:±20V
漏極電流(連續(xù)):1A
漏極電流(脈沖)�4.3A
�(dǎo)通電阻(典型值)�700Ω
柵極電荷�30nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=85ns,toff=45ns
工作溫度范圍�-55℃至+150�
DFU1N60采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造技�(shù),具備以下主要特�(diǎn)�
1. 高擊穿電壓(600V�,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 超低�(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)能力,可以滿足高頻開(kāi)�(guān)電路的需��
4. �(qiáng)大的雪崩能量承受能力,增�(qiáng)了器件的可靠��
5. 小型化的TO-252封裝形式,便于安裝與布局�
6. 支持寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)不同�(huán)境下的應(yīng)用需求�
該MOSFET適用于以下典型應(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主�(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制�
4. 各種工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切��
5. 電池保護(hù)及充電管理電��
6. 光伏逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換部分�
IRF640N
FQP13N60
STP1NR60E