DK5V45R15VP是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,在低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度方面表現(xiàn)出色,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
這款功率MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,其耐壓范圍高達(dá)45V,并且具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性。在各種電子設(shè)備中,它被廣泛用于負(fù)載切換、功率調(diào)節(jié)以及保護(hù)電路等功能。
最大漏源電壓:45V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:15A
導(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型值)
柵極電荷:38nC(典型值)
開(kāi)關(guān)時(shí)間:開(kāi)啟時(shí)間17ns,關(guān)閉時(shí)間12ns
工作溫度范圍:-55℃至175℃
DK5V45R15VP具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可大幅減少導(dǎo)通損耗。
2. 快速的開(kāi)關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
3. 高電流承載能力,適用于大功率場(chǎng)景。
4. 良好的熱性能,確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 緊湊的封裝設(shè)計(jì),節(jié)省PCB空間。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材料。
7. 提供優(yōu)異的靜電防護(hù)功能,增強(qiáng)產(chǎn)品可靠性。
DK5V45R15VP的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),如適配器和充電器。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流和降壓/升壓電路。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,例如無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
4. 汽車(chē)電子系統(tǒng),如啟動(dòng)停止系統(tǒng)和電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 通信基礎(chǔ)設(shè)施中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
7. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域。
IRFZ44N
FDP17N10
STP16NF06L