時間：2025/5/12 19:19:19
閱讀：27
DMG1024UV是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），屬于Diodes Incorporated公司的DMG系列。該器件采用DFN3030-8封裝形式，具有超低導(dǎo)通電阻和極小的封裝尺寸，非常適合用于空間受限的應(yīng)用場景。DMG1024UV主要應(yīng)用于便攜式設(shè)備、開關(guān)電源、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動以及電池保護(hù)等電路中。
這款MOSFET以其出色的電氣性能著稱，包括較低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）、快速開關(guān)速度以及高效率的能量轉(zhuǎn)換能力，這些特點使其成為高效能設(shè)計的理想選擇。
最大漏源電壓：30V
最大柵源電壓：±8V
連續(xù)漏極電流：2.6A
導(dǎo)通電阻：7mΩ（典型值，在Vgs=4.5V時）
總柵極電荷：3.5nC
輸入電容：150pF
工作溫度范圍：-55°C至+150°C
封裝形式：DFN3030-8
DMG1024UV具有以下顯著特性：
1. 超低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），在額定條件下可降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 小型化封裝，適合緊湊型設(shè)計，尤其適用于對空間要求較高的便攜式電子產(chǎn)品。
3. 快速開關(guān)性能，能夠有效減少開關(guān)損耗，并支持高頻操作。
4. 較高的漏源電壓耐受能力，確保其能夠在多種不同的應(yīng)用場景下可靠運行。
5. 寬廣的工作溫度范圍，使其可以在惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定性能。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)性需求。
DMG1024UV廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件。
2. 各類便攜式設(shè)備如智能手機(jī)、平板電腦及筆記本電腦的負(fù)載開關(guān)。
3. 電池保護(hù)電路，用于防止過充或過放情況發(fā)生。
4. 電機(jī)驅(qū)動電路，為小型直流電機(jī)提供高效的控制和驅(qū)動功能。
5. 照明應(yīng)用中的LED驅(qū)動電路，幫助實現(xiàn)精確電流調(diào)節(jié)以優(yōu)化光輸出效果。
6. 其他需要高性能、小體積MOSFET的電子電路設(shè)計。
DMG1024UFH, DMG1024UFG
