DMG2301L-7是一款來自Diodes Incorporated的N溝道增強型MOSFET,采用超小型DFN1008-3封裝。該器件設計用于低電壓應�,具有非常低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在高效率開關和線性模式下運行。其低電荷和快速開關特性使其非常適合便攜式設備、消費電子及通信�(chǎn)品中的負載開�、同步整流和其他功率管理功能�
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝:DFN1008-3 (0.8mm x 1.0mm)
最大漏源電壓Vds�20V
最大柵源電壓Vgs:�8V
連續(xù)漏極電流Id�1.4A
導通電阻Rds(on)�65mΩ @ Vgs=4.5V
總柵極電荷Qg�2nC
反向恢復時間trr�<25ns
工作溫度范圍Tj�-55°C to +150°C
DMG2301L-7擁有非常低的導通電�,這有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
其超小的DFN1008-3封裝節(jié)省了PCB空間,非常適合空間受限的應用�
該器件具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,并能在較寬的工作溫度范圍內保持性能�
MOSFET的設計確保了快速開關和低柵極電�,從而減少了開關損耗�
此外,DMG2301L-7符合RoHS標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
該MOSFET廣泛應用于各種需要高效功率轉換和開關操作的場景,例如�
負載開關:在便攜式設備中實現(xiàn)電源的快速接通與斷開�
電池管理系統(tǒng):用于保護電�,避免過充或過放�
同步整流器:在DC-DC轉換器中提高效率�
電機驅動:控制小型直流電機的速度和方��
消費類電子產(chǎn)品:如智能手機、平板電腦和其他便攜式設備中的電源管理部��
DMG2305UW-7,
DMG2302L-7,
BSG0820DN