DMG5802LFX 是一� N 沘道邏輯增強(qiáng)型功� MOSFET,采用小型化封裝�(shè)�(jì),適用于需要高效能和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)�。該器件具有出色的開(kāi)�(guān)性能和較低的�(dǎo)通損耗,非常適合用于直流-直流�(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電池保�(hù)電路以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)��
� MOSFET 的主要特�(diǎn)是其極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和高雪崩擊穿能力,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
�(lèi)型:N 沖道 MOSFET
電壓 - 漏源 (Vdss)�30 V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)�11.4 A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�2.5 mΩ (典型�,在 Vgs=10V �)
柵極電荷 (Qg)�16 nC (最大�)
功耗:27 W (� Ta=25°C �)
封裝:LFPAK56E (PowerSO8)
DMG5802LFX 提供了非常低的導(dǎo)通電�,有助于減少系統(tǒng)中的能量損�,從而提高整體效率。同�(shí),該器件的快速開(kāi)�(guān)能力和高雪崩擊穿能力使其能夠在惡劣的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行�
此外,由于其采用� LFPAK56E 封裝,這種封裝形式具備良好的熱性能和電氣性能,適合緊湊型�(shè)�(jì),并且易于安裝到 PCB ��
它還具有極低的輸入和輸出電容,可以有效降低開(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損失并減少電磁干擾 (EMI) 的產(chǎn)�。總�,這款功率 MOSFET 是高性能電源管理�(yīng)用的理想選擇�
DMG5802LFX 廣泛�(yīng)用于各種電子�(shè)備中,特別是在需要高效能功率�(kāi)�(guān)的場(chǎng)�。具體包括:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
在這些�(yīng)用中,MOSFET 的低�(dǎo)通電阻和高效率可以顯著減少能量損��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器:
DMG5802LFX 的快速開(kāi)�(guān)特性和高電流處理能力使其非常適合用于驅(qū)�(dòng)小型直流電機(jī)�
3. �(fù)載開(kāi)�(guān)�
它可以作為高效的�(fù)載開(kāi)�(guān),用于控制不同電路模塊之間的電力傳輸�
4. 電池保護(hù)�
在便攜式電子�(shè)備中,該 MOSFET 可以用來(lái)防止�(guò)流和短路情況的發(fā)生,從而保�(hù)電池的安��
DMG5921LFTQ, IPB020N03L2, FDS8938