DMG6601LVT是一款N溝道增強型MOSFET,采用小尺寸的SOT-23封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適用于多種便攜式�(shè)備中的負載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器及電池管理等�(yīng)用領(lǐng)��
這款MOSFET因其出色的性能和較小的封裝尺寸而受到廣泛歡迎,尤其在對空間有嚴格要求的�(shè)計中表現(xiàn)�(yōu)��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.1A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):450mΩ(在Vgs=4.5V時)
柵極電荷�3nC
總電容:4pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
DMG6601LVT的主要特性包括低�(dǎo)通電�,能夠有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。其快速開�(guān)速度有助于減少開�(guān)損�,并且具備較高的浪涌能力,確保了在瞬�(tài)條件下的可靠��
此外,該器件采用了SOT-23封裝,這種封裝形式不僅體積小巧,還提供了良好的散熱性能,非常適合用于空間受限的�(yīng)用環(huán)境�
由于其耐高壓特�,DMG6601LVT能夠在較寬的電壓范圍�(nèi)�(wěn)定工�,同時它的低輸入電容也提升了整體開關(guān)性能�
DMG6601LVT廣泛�(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品中,如手機、平板電腦和其他便攜式設(shè)備中的負載開�(guān)功能。它也可以用于電源管理模�,例如降壓或升壓DC-DC�(zhuǎn)換器中作為開�(guān)元件�
此外,在電池保護電路�,DMG6601LVT可充�(dāng)理想的切換元件以防止過流和短路情況的�(fā)�。其緊湊的設(shè)計使其成為眾多小型化�(shè)計的理想選擇�
DMG6601LV,
STP11NM60,
IRF7413