時間：2025/4/28 16:18:01
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DMG6601LVT是一款N溝道增強型MOSFET，采用小尺寸的SOT-23封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種便攜式設(shè)備中的負載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器及電池管理等應(yīng)用領(lǐng)域。
這款MOSFET因其出色的性能和較小的封裝尺寸而受到廣泛歡迎，尤其在對空間有嚴格要求的設(shè)計中表現(xiàn)優(yōu)異。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±8V
連續(xù)漏極電流：1.1A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：450mΩ（在Vgs=4.5V時）
柵極電荷：3nC
總電容：4pF
工作溫度范圍：-55℃至+150℃
DMG6601LVT的主要特性包括低導(dǎo)通電阻，能夠有效降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。其快速開關(guān)速度有助于減少開關(guān)損耗，并且具備較高的浪涌能力，確保了在瞬態(tài)條件下的可靠性。
此外，該器件采用了SOT-23封裝，這種封裝形式不僅體積小巧，還提供了良好的散熱性能，非常適合用于空間受限的應(yīng)用環(huán)境。
由于其耐高壓特性，DMG6601LVT能夠在較寬的電壓范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，同時它的低輸入電容也提升了整體開關(guān)性能。
DMG6601LVT廣泛應(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品中，如手機、平板電腦和其他便攜式設(shè)備中的負載開關(guān)功能。它也可以用于電源管理模塊，例如降壓或升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為開關(guān)元件。
此外，在電池保護電路中，DMG6601LVT可充當(dāng)理想的切換元件以防止過流和短路情況的發(fā)生。其緊湊的設(shè)計使其成為眾多小型化設(shè)計的理想選擇。
DMG6601LV,
STP11NM60,
IRF7413
