DMG6602S是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,采用小型SOT-23封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高電流處理能力的特�(diǎn),適用于各種便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)、電源管理以及信�(hào)切換等應(yīng)�。其�(shè)�(jì)目的是為了滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小尺寸的需��
最大漏源電壓:20V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.5A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.95Ω(在Vgs=4.5V�(shí)�
總功耗:370mW
工作溫度范圍�-55℃至+150�
DMG6602S擁有非常低的�(dǎo)通電阻,這有助于減少功率損耗并提高效率�
該器件具備快速開�(guān)能力,能夠有效降低開�(guān)過程中的能量損失�
SOT-23的小巧封裝使其非常適合于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)��
它還具有出色的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在較寬的溫度范圍�(nèi)正常工作�
此外,DMG6602S支持表面貼裝技�(shù),簡(jiǎn)化了生產(chǎn)流程并提高了制造效��
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于手機(jī)、平板電腦和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)�
它可以用于電池供電設(shè)備的電源管理電路�,以�(shí)�(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)��
此外,在音頻�(shè)�、LED�(qū)�(dòng)器以及數(shù)�(jù)通信系統(tǒng)中也有它的身��
由于其快速的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,DMG6602S也是電機(jī)控制和信�(hào)切換的理想選��
DMG2303L, BSS138, SI2302DS