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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DMG6602S

DMG6602S 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 8:58:22 查看 閱讀�11

DMG6602S是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,采用小型SOT-23封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高電流處理能力的特�(diǎn),適用于各種便攜式設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)、電源管理以及信�(hào)切換等應(yīng)�。其�(shè)�(jì)目的是為了滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小尺寸的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  最大柵源電壓:±8V
  連續(xù)漏極電流�1.5A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.95Ω(在Vgs=4.5V�(shí)�
  總功耗:370mW
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

DMG6602S擁有非常低的�(dǎo)通電阻,這有助于減少功率損耗并提高效率�
  該器件具備快速開�(guān)能力,能夠有效降低開�(guān)過程中的能量損失�
  SOT-23的小巧封裝使其非常適合于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)��
  它還具有出色的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在較寬的溫度范圍�(nèi)正常工作�
  此外,DMG6602S支持表面貼裝技�(shù),簡(jiǎn)化了生產(chǎn)流程并提高了制造效��

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛�(yīng)用于手機(jī)、平板電腦和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)�
  它可以用于電池供電設(shè)備的電源管理電路�,以�(shí)�(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)��
  此外,在音頻�(shè)�、LED�(qū)�(dòng)器以及數(shù)�(jù)通信系統(tǒng)中也有它的身��
  由于其快速的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,DMG6602S也是電機(jī)控制和信�(hào)切換的理想選��

替代型號(hào)

DMG2303L, BSS138, SI2302DS

dmg6602s推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)