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DMG6968UTS 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 12:16:05 查看 閱讀�23

DMG6968UTS是一款高性能的N溝道增強型MOSFET,采用微型UTS (Ultra Thin Small) 封裝設計。該器件具有低導通電�、快速開關速度和出色的熱性能,適用于空間受限的應用場��
  這種MOSFET適合要求高效能和小型化的電路設計,如便攜式設�、消費類電子�(chǎn)品和通信設備中的負載開關、同步整流器以及DC-DC轉換器等�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�4.2A
  導通電阻:45mΩ
  柵極電荷�10nC
  開關時間:ton=7ns, toff=15ns
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

DMG6968UTS具備低導通電�,可有效降低功率損耗并提升效率�
  其超小型封裝使其成為高密度電路板的理想選��
  同時,快速的開關特性和低柵極電荷允許其在高頻應用中保持高效性能�
  該器件還擁有良好的熱�(wěn)定性和抗靜電能力(ESD保護�,從而增強了可靠��
  由于其緊湊的設計與優(yōu)異的電氣性能,這款MOSFET特別適合需要節(jié)省空間且追求高效率的�(xiàn)代電子系�(tǒng)�

應用

該元器件廣泛應用于各類電源管理方案中,包括但不限于:
  1. 負載開關:用于控制不同負載的供電狀�(tài)�
  2. 同步整流:在反激式或正向轉換器中提高效率�
  3. DC-DC轉換器:提供高效的電壓轉換功��
  4. 電池管理系統(tǒng):實�(xiàn)對電池充放電過程的有效監(jiān)控與保護�
  5. 消費類電子產(chǎn)品:如智能手�、平板電腦及筆記本電腦的內部電路設計�
  此外,它還可用于工業(yè)控制、汽車電子等領域�

替代型號

DMG3419UF, Si2305DS, BSS138

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