DMG963030M4 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能等優(yōu)點(diǎn)。它專(zhuān)為要求高效能和小尺寸的應(yīng)用而設(shè)計(jì),適用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備以及工業(yè)控制等領(lǐng)域。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:3.1A
導(dǎo)通電阻:8.5mΩ
柵極電荷:10nC
工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 175℃
封裝形式:SOT-23
DMG963030M4 的主要特性包括低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),這有助于降低功耗并提升效率;具備較高的開(kāi)關(guān)速度,使其非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境;同時(shí),其小巧的 SOT-23 封裝節(jié)省了 PCB 空間,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。此外,該器件的工作溫度范圍寬廣,能夠適應(yīng)多種惡劣的工作條件。
另外,這款 MOSFET 的 ESD 防護(hù)能力較強(qiáng),增強(qiáng)了其在實(shí)際使用中的可靠性與穩(wěn)定性。
DMG963030M4 廣泛應(yīng)用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和驅(qū)動(dòng)的場(chǎng)景中,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路以及電池管理模塊等。它的低導(dǎo)通電阻特性和緊湊的封裝形式使其成為便攜式電子產(chǎn)品及空間受限應(yīng)用的理想選擇。
DMG963020M4
DMG963040M4