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DMN100-7-F 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/1/29 17:02:32 查看 閱讀：495

制造商：DiodesInc.
產(chǎn)品種類：MOSFET小信號
RoHS：是
配置：Single
晶體管極性：N-Channel

目錄

概述

制造商：DiodesInc.
產(chǎn)品種類：MOSFET小信號
RoHS：是
配置：Single
晶體管極性：N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：30V
閘/源擊穿電壓：+/-20V
漏極連續(xù)電流：1.1A
功率耗散：500mW
最大工作溫度：+150C
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝/箱體：SC-59-3
封裝：Reel
最小工作溫度：-55C
StandardPackQty：3000

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dmn100-7-f產(chǎn)品

dmn100-7-f參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.1A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C240 毫歐 @ 1A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3V @ 1mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs5.5nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds150pF @ 10V
  • 功率 - 最大500mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-59-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱DMN100-FDITR