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DMN100-7-F 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2023/1/29 17:02:32 查看 閱讀:495

制造商:DiodesInc.
產(chǎn)品種類:MOSFET小信號
RoHS:是
配置:Single
晶體管極性:N-Channel

目錄

概述

制造商:DiodesInc.
產(chǎn)品種類:MOSFET小信號
RoHS:是
配置:Single
晶體管極性:N-Channel
汲極/源極擊穿電壓:30V
閘/源擊穿電壓:+/-20V
漏極連續(xù)電流:1.1A
功率耗散:500mW
最大工作溫度:+150C
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:SC-59-3
封裝:Reel
最小工作溫度:-55C
StandardPackQty:3000

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dmn100-7-f產(chǎn)品

dmn100-7-f參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.1A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C240 毫歐 @ 1A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)3V @ 1mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs5.5nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds150pF @ 10V
  • 功率 - 最大500mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-59-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱DMN100-FDITR