DMN1019UFDE 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用小型化的 DFN3030-8 封裝,適用于空間受限的應用場�。它具有低導通電阻(Rds(on))和快速開關性能,非常適合用于高效能的電源管理電�、負載開關、電機驅動以及便攜式電子設備等應��
該器件在設計上注重優(yōu)化功耗與散熱性能,能夠在高頻率開關條件下提供�(wěn)定的運行表現(xiàn)�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�3.6A
導通電阻:25mΩ(典型�,Vgs=4.5V�
柵極電荷�8nC(典型值)
總電容:700pF(輸入電�,典型值)
工作結溫范圍�-55� � +150�
封裝形式:DFN3030-8
DMN1019UFDE 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于降低傳導損耗并提升整體效率�
2. 快速開關性能,支持高頻操�,減少開關損��
3. 小尺� DFN3030-8 封裝,節(jié)� PCB 空間,特別適合緊湊型設計�
4. 高浪涌能�,確保在瞬態(tài)條件下的可靠運行�
5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,即使在較高溫度�(huán)境下也能保持�(wěn)定性能�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
DMN1019UFDE 廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源 (SMPS) 中的同步整流�
2. DC-DC 轉換器中的功率級開關�
3. 各種負載開關應用,如 USB 端口保護�
4. 電池供電設備中的電源管理�
5. 電機驅動及小型化控制電路�
6. 便攜式消費類電子�(chǎn)�,例如智能手機和平板電腦的電源管理模塊�
DMN1019UJE, DMN1019UFCE