DMN1019USN是一款由Diodes Incorporated生產(chǎn)的N溝道MOSFET,采用微型DFN3020-8封裝。該器件�(shè)�(jì)用于需要低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�。其�(yōu)化的電氣特性使其非常適合消�(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)域的�(yīng)��
這款MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。同�(shí),其小型化封裝形式使得它非常適合�(duì)空間要求較高的緊湊型�(shè)�(jì)�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�2.7A
�(dǎo)通電阻:145mΩ
柵極電荷�3.5nC
總電容:330pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
DMN1019USN具有出色的電氣性能,具體表�(xiàn)為:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(典型值為145mΩ@4.5V�,能夠有效降低功率損耗�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于較小的柵極電荷(典型值為3.5nC��
3. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在寬廣的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定性能�
4. 小型化DFN3020-8封裝,節(jié)省PCB空間�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
這些特性使得DMN1019USN在便攜式�(shè)�、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及其他高效率需求的�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
DMN1019USN廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的電源管�,例如移�(dòng)�(shè)備充電器、電池管理系�(tǒng)�
2. �(fù)載開(kāi)�(guān)和同步整流電路�
3. LED�(qū)�(dòng)電路,適用于背光照明和指示燈控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化中的信�(hào)切換和小型電�(jī)�(qū)�(dòng)�
5. 通信�(shè)備中的高效電源轉(zhuǎn)換模��
其低功耗和小尺寸的特點(diǎn)使其成為許多�(xiàn)代電子產(chǎn)品的理想選擇�
DMN1019UFN
DMN1019UFG
DMN1019UMT