DMN1019UVT是一款由Diodes Incorporated生產(chǎn)的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用邏輯電平增強型設�,適用于低電壓應�。它具有極低的導通電阻和快速開關特性,適合用于高效能功率轉(zhuǎn)�、負載開關以及DC-DC�(zhuǎn)換器等場景�
DMN1019UVT為N溝道MOSFET,其封裝形式為SOT23-3L,能夠提供出色的電氣性能,同時支持表面貼裝工藝以簡化制造流��
最大漏源電壓Vds�20V
最大柵源電壓Vgs:�8V
連續(xù)漏極電流Id�1.6A
導通電阻Rds(on)(在Vgs=4.5V時)�75mΩ
導通電阻Rds(on)(在Vgs=10V時)�47mΩ
總功耗Ptot�420mW
結溫范圍Tj�-55℃至+150�
封裝類型:SOT23-3L
DMN1019UVT擁有以下主要特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,確保高效的功率傳輸并降低熱損��
2. 快速開關速度,有助于減少開關損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 高雪崩耐量能力,可有效應對瞬態(tài)過壓情況�
4. 小尺寸SOT23-3L封裝,適合空間受限的應用場合�
5. 工作溫度范圍�,適應多種環(huán)境條��
6. 支持表面貼裝技術(SMT�,便于自動化生產(chǎn)和大�(guī)模制��
7. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
該MOSFET廣泛應用于各種消費類電子、工�(yè)控制和通信設備�,具體包括:
1. 手機和平板電腦等便攜式設備中的負載開��
2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器和降壓電路中的功率開關�
3. 電池管理系統(tǒng)中的保護和切換電��
4. LED�(qū)動電路中的開關元件�
5. 多種電源管理應用,如充電器和適配��
6. 電機�(qū)動電路中的開關元件�
DMN1019UFH, DMN1019DGQ