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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DMN10H170SVTQ

DMN10H170SVTQ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 12:44:09 查看 閱讀�36

DMN10H170SVTQ 是一款來(lái)� Diodes Incorporated � N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 SuperSOT-6 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�,適合用于各種高效能、空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
  這款 MOSFET 在消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)�、計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信�(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域中廣泛使用,尤其是在需要高頻開(kāi)�(guān)和高效率�(zhuǎn)換的�(yīng)用中�

參數(shù)

型號(hào):DMN10H170SVTQ
  封裝:SuperSOT-6 (SC-74A)
  VDS(漏源電壓)�170 V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�1.2 Ω(在 VGS = 10V �(shí)�
  ID(連續(xù)漏極電流):0.38 A
  fT(特征頻率)�5 MHz
  功耗:190 mW
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

DMN10H170SVTQ 提供了非常低的導(dǎo)通電�,這使其能夠以最小的傳導(dǎo)損耗實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)�。此�,它還具備快速的�(kāi)�(guān)性能,非常適合高頻應(yīng)�。其小型化的 SuperSOT-6 封裝為設(shè)�(jì)者提供了節(jié)省空間的解決方案,同�(shí)保持良好的散熱性能�
  該器件具有優(yōu)異的雪崩能力和抗靜電能力(ESD�,確保了在嚴(yán)苛環(huán)境下的可靠運(yùn)行。此�,由于其高擊穿電壓和低漏電流,DMN10H170SVTQ 可在多種電源管理�(yīng)用中提供卓越的性能表現(xiàn)�

�(yīng)�

DMN10H170SVTQ 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電池保護(hù)電路
  4. 固態(tài)繼電�
  5. 各種消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的�(fù)載開(kāi)�(guān)
  6. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  7. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換
  得益于其緊湊的封裝和高性能指標(biāo),DMN10H170SVTQ 成為眾多便攜式設(shè)備的理想選擇�

替代型號(hào)

DMN11H170SCTQ, DMN10H170LHTQ

dmn10h170svtq推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)