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DMN10H220LVT 發(fā)布時間 時間:2025/5/29 18:35:33 查看 閱讀:14

DMN10H220LVT 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET,采用超小型的 DFN3030-8 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))、高開關(guān)速度以及出色的熱性能,非常適合用于便攜式設(shè)備和空間受限的應(yīng)用場景。其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理電路以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。
  該型號屬于公司旗下的 NexFET 系列產(chǎn)品,專注于提供高性能與小尺寸相結(jié)合的解決方案。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:7.9A
  導(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值,在 Vgs=4.5V 時)
  柵極電荷:1.6nC(典型值)
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝形式:DFN3030-8(3mm x 3mm)

特性

DMN10H220LVT 的主要特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效率的能量轉(zhuǎn)換,減少了功率損耗。
  2. 高開關(guān)速度使其適用于高頻開關(guān)應(yīng)用,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  3. 小巧的封裝設(shè)計使得它成為緊湊型設(shè)計的理想選擇,尤其適合對 PCB 空間要求較高的便攜式設(shè)備。
  4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
  5. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,增強了器件在實際使用中的抗干擾能力。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 移動設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)控制。
  2. 電源管理系統(tǒng)中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換電路。
  3. 電池供電設(shè)備中的充電及放電路徑管理。
  4. 各種工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品的高效功率轉(zhuǎn)換需求。
  5. LED 驅(qū)動電路中的開關(guān)元件。
  由于其卓越的性能和可靠性,DMN10H220LVT 在需要快速切換和低功耗的環(huán)境中表現(xiàn)出色。

替代型號

DMN11H220LVT
  DMN20H220LVT

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