時間：2025/5/29 18:35:33
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DMN10H220LVT 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強型 MOSFET，采用超小型的 DFN3030-8 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）、高開關(guān)速度以及出色的熱性能，非常適合用于便攜式設(shè)備和空間受限的應(yīng)用場景。其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括負(fù)載開關(guān)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池管理電路以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。
該型號屬于公司旗下的 NexFET 系列產(chǎn)品，專注于提供高性能與小尺寸相結(jié)合的解決方案。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：7.9A
導(dǎo)通電阻：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=4.5V 時）
柵極電荷：1.6nC（典型值）
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃
封裝形式：DFN3030-8（3mm x 3mm）
DMN10H220LVT 的主要特性如下：
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效率的能量轉(zhuǎn)換，減少了功率損耗。
2. 高開關(guān)速度使其適用于高頻開關(guān)應(yīng)用，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 小巧的封裝設(shè)計使得它成為緊湊型設(shè)計的理想選擇，尤其適合對 PCB 空間要求較高的便攜式設(shè)備。
4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
5. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，增強了器件在實際使用中的抗干擾能力。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 移動設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)控制。
2. 電源管理系統(tǒng)中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換電路。
3. 電池供電設(shè)備中的充電及放電路徑管理。
4. 各種工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品的高效功率轉(zhuǎn)換需求。
5. LED 驅(qū)動電路中的開關(guān)元件。
由于其卓越的性能和可靠性，DMN10H220LVT 在需要快速切換和低功耗的環(huán)境中表現(xiàn)出色。
DMN11H220LVT
DMN20H220LVT
