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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > DMN2009UFDF

DMN2009UFDF 發(fā)布時間 時間�2025/6/11 17:04:51 查看 閱讀�6

DMN2009UFDF 是一款來� Diodes 公司� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用小型化的 DFN3030-8 封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適合用于便攜式設備、電源管理模�、負載開關和同步整流等應用領��
  � MOSFET 的設計注重高效能與緊湊空間的結合,能夠滿足現(xiàn)代電子設備對小型化和高性能的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�2.6A
  導通電阻:10mΩ
  柵極電荷�4.5nC
  工作結溫范圍�-55� � 150�

特�

DMN2009UFDF 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在典型條件下僅� 10mΩ,從而減少了功率損耗并提高了效率�
  2. 快速的開關速度,得益于其低柵極電荷設計,適用于高頻開關應用�
  3. DFN3030-8 封裝提供了卓越的熱性能,并且由于其體積小巧,非常適合空間受限的設計�
  4. 高度可靠的電氣性能,能夠在寬溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�

應用

該器件廣泛應用于以下場景�
  1. 移動設備中的負載開關,例如智能手機和平板電腦�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的同步整流電路�
  3. USB 充電器和適配器中的電源管��
  4. 各類消費類電子產(chǎn)品中的電池管理單元�
  5. 照明系統(tǒng)中的 LED �(qū)動電��

替代型號

DMN2009UFG, DMN2009UFQ

dmn2009ufdf推薦供應� 更多>

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