DMN2009UFDF 是一款來� Diodes 公司� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用小型化的 DFN3030-8 封裝,具有低導通電阻和高開關速度的特�,適合用于便攜式設備、電源管理模�、負載開關和同步整流等應用領��
� MOSFET 的設計注重高效能與緊湊空間的結合,能夠滿足現(xiàn)代電子設備對小型化和高性能的需��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.6A
導通電阻:10mΩ
柵極電荷�4.5nC
工作結溫范圍�-55� � 150�
DMN2009UFDF 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在典型條件下僅� 10mΩ,從而減少了功率損耗并提高了效率�
2. 快速的開關速度,得益于其低柵極電荷設計,適用于高頻開關應用�
3. DFN3030-8 封裝提供了卓越的熱性能,并且由于其體積小巧,非常適合空間受限的設計�
4. 高度可靠的電氣性能,能夠在寬溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
該器件廣泛應用于以下場景�
1. 移動設備中的負載開關,例如智能手機和平板電腦�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的同步整流電路�
3. USB 充電器和適配器中的電源管��
4. 各類消費類電子產(chǎn)品中的電池管理單元�
5. 照明系統(tǒng)中的 LED �(qū)動電��
DMN2009UFG, DMN2009UFQ