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DMN2022UFDF 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 18:37:25 查看 閱讀�26

DMN2022UFDF 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道增強� MOSFET 芯片,采用微型封裝設計,主要應用于低電壓和高效率的開關電路中。該芯片具有較低的導通電阻和極快的開關速度,非常適合于便攜式設�、消費類電子以及通信設備中的負載開關、DC-DC �(zhuǎn)換器和電池管理等場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±12V
  連續(xù)漏極電流�4.5A
  導通電阻(Rds(on)):8mΩ(在 Vgs=10V 時)
  總功耗:1.1W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:DFN2020-6 (2mm x 2mm)
  柵極電荷�8nC
  反向恢復時間:無(由于是 MOSFET�

特�

DMN2022UFDF 的主要特性包括超低導通電阻以減少功率損�、快速開關能力以適應高頻應用、較高的雪崩耐量確保其能在過流或短路情況下提供一定保護。此�,它的微型封裝使其非常適用于對空間有嚴格要求的設計項��
  該芯片還具備出色的熱性能,在高電流密度條件下可以有效散熱。同�,它符合 RoHS 標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電子�(chǎn)品中�

應用

這款 MOSFET 主要用于需要高效能�(zhuǎn)換的場景,如電源管理模塊中的負載開關、DC-DC �(zhuǎn)換器、LED �(qū)動器以及 USB 充電器等。此�,它也廣泛應用于智能手機、平板電腦和其他便攜式設備中的電池保護和管理系統(tǒng)�。由于其小尺寸和高性能,DMN2022UFDF 成為許多工程師在緊湊型設計中的首選方��

替代型號

DMN2025UFDF, DMN2027UFDF

dmn2022ufdf推薦供應� 更多>

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