DMN2026UVT 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),屬� Vishay 公司� SiHF 系列。該器件采用了小型化� U-DFN1018-6 封裝,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合用于各種消費類電子、通信�(shè)備以及工�(yè)應用中的功率管理電路�
這款 MOSFET 主要�(shè)計用于降壓轉(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率開關(guān)的應用場景�
最大漏源電壓:30V
最大連續(xù)漏極電流�2.9A
導通電阻(Rds(on)):45mΩ
柵極閾值電壓:1.5V
總功耗:0.4W
工作溫度范圍�-55� � +150�
DMN2026UVT 的主要特性包括其超低的導通電�,這有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
此外,它具備快速的開關(guān)速度,能夠減少開�(guān)過程中的能量損失�
U-DFN1018-6 封裝形式使其非常適合空間受限的設(shè)�,同時這種封裝還提供了良好的熱性能�
由于其低電容和低柵極電荷,該 MOSFET 可以輕松�(qū)�,并且在高頻操作下表�(xiàn)�(yōu)��
另外,它符合 RoHS 標準,確保環(huán)保要求得到滿��
DMN2026UVT 廣泛應用于多種領(lǐng)域,例如�
手機和平板電腦等便攜式設(shè)備中的電源管理模��
筆記本電腦適配器及充電器中的同步整流電路�
USB Type-C 接口保護和切��
汽車電子系統(tǒng)中的負載控制�
電池管理系統(tǒng)中的開關(guān)元件�
各類 DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器中的功率級開關(guān)�
DMN2027UVT
DMN2028UVT