DMN2027USS 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采用小型表面貼裝封� (SOT-23)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,非常適合用于便攜式�(shè)�、電源管理模塊以及信號切換等�(yīng)��
� MOSFET 的設(shè)計使其在低壓�(huán)境下的表�(xiàn)尤為突出,能夠有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.4A
�(dǎo)通電阻(典型值)�50mΩ
柵極電荷�3nC
總電容(輸入電容):160pF
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝類型:SOT-23
DMN2027USS 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保高效的功率傳輸,減少能量損��
2. 高速開�(guān)能力支持高頻�(yīng)��
3. 小型 SOT-23 封裝節(jié)省電路板空間,適合緊湊型�(shè)��
4. 寬工作溫度范圍使其能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運行�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子制造需��
DMN2027USS 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 便攜式電子設(shè)備中的負載開�(guān)�
2. 電池供電�(shè)備中的電源管��
3. 各類 DC/DC �(zhuǎn)換器及電壓調(diào)節(jié)模塊�
4. 信號切換與保護電路�
5. 手機、平板電腦及其他消費類電子產(chǎn)品中的功率控制部分�
DMN2027SF, DMN2027UF, BSS138