DMN2058U是一款來自Diodes Incorporated的N溝道增強型MOSFET晶體�。該器件采用DFN3030-10(SMD)封�,廣泛應用于空間受限且需要高效能開關的應用中。其低導通電阻和快速開關特性使其非常適合于消費電子、通信設備以及工業(yè)控制等領域的電源管理應用�
DMN2058U設計用于在低壓環(huán)境下提供高效率的能量�(zhuǎn)�,同時具備出色的熱性能和電氣穩(wěn)定�,能夠確保在嚴苛條件下的可靠運行�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.6A
導通電阻(典型值)�40mΩ
柵極電荷�6nC
總電容:970pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至150�
DMN2058U具有非常低的導通電�,這有助于減少功率損耗并提升整體系統(tǒng)效率。此�,它還擁有快速的開關速度,可以有效降低開關損�。此MOSFET采用了先進的制程技�(shù),因此能夠在高溫條件下保持穩(wěn)定的性能。緊湊的DFN3030-10封裝也使其成為對PCB空間有嚴格要求的設計的理想選��
另外,DMN2058U的高雪崩能量能力和強固的�(jié)�(gòu)設計保證了其在過載或異常情況下的可靠�。由于其低柵極電荷和快速開關特性,該元件非常適合高頻DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開關、電池保護電路以及其他便攜式電子�(chǎn)品中的應��
DMN2058U被廣泛應用于多種領域,包括但不限于以下場景:
1. 手機和平板電腦中的負載開�
2. 消費類電子產(chǎn)品的電池保護電路
3. 各類便攜式設備中的同步整�
4. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器
5. LED�(qū)動電�
6. 電機�(qū)動及小型馬達控制
7. 一般用途的電源開關和保護電�
DMN2059U
DMN2060U
DMN2057U