DMN2058UW是一款由Diodes公司生產(chǎn)的N溝道MOSFET功率晶體管。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),適用于多種高效能的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。DMN2058UW采用了SOT23-3封裝形式,非常適合于空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)合。
這款MOSFET在消費(fèi)類(lèi)電子、計(jì)算機(jī)外設(shè)、通信設(shè)備以及工業(yè)控制等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其卓越的電氣性能使其成為驅(qū)動(dòng)負(fù)載、電源管理以及其他功率控制相關(guān)應(yīng)用的理想選擇。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:2.9A
導(dǎo)通電阻(典型值):60mΩ
柵極-源極電壓:±20V
功耗:710mW
工作結(jié)溫范圍:-55℃至+150℃
DMN2058UW具有非常低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低功率損耗并提升效率。同時(shí),該器件還具備較高的開(kāi)關(guān)速度,從而減少了開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損失。
其緊湊的SOT23-3封裝形式使得它特別適合于對(duì)體積要求嚴(yán)格的便攜式設(shè)備設(shè)計(jì)中。此外,DMN2058UW還擁有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性,在各種惡劣的工作條件下都能夠保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
為了確保安全使用,DMN2058UW具備靜電放電保護(hù)功能,提高了器件在實(shí)際應(yīng)用環(huán)境中的抗干擾能力。
DMN2058UW主要應(yīng)用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)器以及其他需要高效功率管理的場(chǎng)景中。例如,在電池供電的手持設(shè)備中,可以用作電源路徑管理元件以?xún)?yōu)化電池壽命。
在計(jì)算機(jī)主板上,該MOSFET可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)電源管理,為不同的工作模式提供合適的電壓和電流支持。另外,在汽車(chē)電子系統(tǒng)里,DMN2058UW也可以用于各種輔助電路當(dāng)中,如信息娛樂(lè)系統(tǒng)的音頻放大器供電控制等。
由于其良好的電氣特性和機(jī)械結(jié)構(gòu),DMN2058UW還非常適合于一些高密度印刷電路板組裝項(xiàng)目,如智能手機(jī)充電接口保護(hù)電路、平板電腦內(nèi)部電源分配網(wǎng)絡(luò)等方面。
DMN2059UW