DMN2075U-7是來自Diodes Incorporated的一款N溝道MOSFET功率晶體�。該器件采用小型DFN3030-8封裝,適用于需要高效率和低功耗的應用場景。DMN2075U-7具有非常低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻開關應用中提供卓越的性能,同時其出色的熱特性和電氣特性使其成為便攜式電子設備、電源管理模塊和負載開關的理想選擇�
該器件設計用于在較低電壓條件下工�,并支持快速開關操�,從而減少能量損耗并提升整體系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.2A
導通電阻(Rds(on)):1.9mΩ(典型�,Vgs=10V時)
柵極電荷�6.5nC(典型值)
總電容:150pF(典型值)
工作結溫范圍�-55°C�+150°C
封裝類型:DFN3030-8
DMN2075U-7具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于降低傳導損耗并提高效率�
2. 快速開關能力,適合高頻開關模式電源和DC-DC轉換器應��
3. 小型DFN3030-8封裝,節(jié)省PCB空間并改善熱性能�
4. 高電流承載能力,滿足大功率應用需��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠�
6. 良好的熱�(wěn)定性和電氣�(wěn)定�,確保在惡劣�(huán)境下的長期可靠性�
DMN2075U-7廣泛應用于以下領域:
1. 手機和平板電腦等便攜式電子設備中的負載開��
2. 各類消費類電子產(chǎn)品中的電源管理和電池保護電路�
3. DC-DC轉換器和降壓�(wěn)壓器設計�
4. 多功能開關和同步整流電路�
5. 電機驅動和音頻放大器中的功率級控��
6. 通用功率轉換和信號調節(jié)任務�
DMN2076U-7
DMN2077U-7
DMN2078U-7