時間�2025/5/29 20:11:50
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DMN2310UW 是一� N 溝道邏輯電平增強� MOSFET，采用小尺寸 DPAK 封裝。該器件適用于需要高效率和低導通電阻的應用場景，廣泛用于電源管理、負載開�、DC-DC 轉換器等電路中�
DMN2310UW 的設計使其能夠在高頻條件下提供出色的性能表現，并且其較低的導通電阻有助于減少功率損耗�
最大漏源電壓：30V
最大連續(xù)漏極電流�4.9A
導通電阻（典型值）�40mΩ
柵極閾值電壓：1.2V � 2.5V
工作結溫范圍�-55� � 150�
封裝類型：DPAK（TO-252�
DMN2310UW 具有以下關鍵特性：
1. 極低的導通電� (Rds(on))，確保高效運行并減少�(fā)��
2. 高速開關能力，支持高頻應用�
3. 較低的柵極電� (Qg)，可降低驅動損耗�
4. 增強的熱性能，適合緊湊型設計�
5. 支持寬泛的工作溫度范�，能夠適應惡劣環(huán)境�
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保無鉛材料制��
7. 提供邏輯電平驅動支持，簡化電路設計�
8. 可靠性高，適用于工業(yè)及消費類電子設備�
DMN2310UW 在以下領域中有廣泛應用：
1. 開關電源中的同步整流�
2. DC-DC 轉換器的核心開關元件�
3. 電池管理系統中的負載開關�
4. 各類電機驅動電路�
5. 照明系統中的 LED 驅動控制�
6. 通信設備中的信號切換�
7. 工業(yè)自動化設備中的電源管理模塊�
8. 消費類電子產品中的電源保護電��
DMN2990UW, DMN2311UW, PMEG200EUA
