時間：2025/5/29 20:11:50
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DMN2310UW 是一款 N 溝道邏輯電平增強型 MOSFET，采用小尺寸 DPAK 封裝。該器件適用于需要高效率和低導通電阻的應用場景，廣泛用于電源管理、負載開關、DC-DC 轉換器等電路中。
DMN2310UW 的設計使其能夠在高頻條件下提供出色的性能表現，并且其較低的導通電阻有助于減少功率損耗。
最大漏源電壓：30V
最大連續(xù)漏極電流：4.9A
導通電阻（典型值）：40mΩ
柵極閾值電壓：1.2V 至 2.5V
工作結溫范圍：-55℃ 至 150℃
封裝類型：DPAK（TO-252）
DMN2310UW 具有以下關鍵特性：
1. 極低的導通電阻 (Rds(on))，確保高效運行并減少發(fā)熱。
2. 高速開關能力，支持高頻應用。
3. 較低的柵極電荷 (Qg)，可降低驅動損耗。
4. 增強的熱性能，適合緊湊型設計。
5. 支持寬泛的工作溫度范圍，能夠適應惡劣環(huán)境。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保無鉛材料制造。
7. 提供邏輯電平驅動支持，簡化電路設計。
8. 可靠性高，適用于工業(yè)及消費類電子設備。
DMN2310UW 在以下領域中有廣泛應用：
1. 開關電源中的同步整流。
2. DC-DC 轉換器的核心開關元件。
3. 電池管理系統中的負載開關。
4. 各類電機驅動電路。
5. 照明系統中的 LED 驅動控制。
6. 通信設備中的信號切換。
7. 工業(yè)自動化設備中的電源管理模塊。
8. 消費類電子產品中的電源保護電路。
DMN2990UW, DMN2311UW, PMEG200EUA
