DMN2451UFB4Q是一款來自Diodes Incorporated的N溝道增強型MOSFET。該器件采用小型化的DFN封裝,適合于空間受限的應用場景。它具有低導通電阻(Rds(on))和快速開�(guān)特�,適用于高效能的電源管理應用�
這款MOSFET特別適合用于負載開關(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器、同步整�、電池保護電路以及消費電子產(chǎn)品的各種功率控制場景�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.6A
導通電阻(Rds(on)):17mΩ
柵極電荷�6.5nC
總電容(Ciss):820pF
工作溫度范圍�-55℃至+150�
DMN2451UFB4Q具備極低的導通電�,從而減少了傳導損耗,提高了效��
其快速的開關(guān)速度有助于降低開�(guān)損�,并且可以支持高頻操��
器件采用DFN2020-8無引腳表面貼裝封�,這種封裝方式不僅減小了PCB空間占用,還提升了熱性能和電氣性能�
此外,它具有�(yōu)異的靜電防護能力(ESD�,能夠承受高�2kV的人體模型(HBM)放�,增強了器件的可靠��
該器件符合RoHS標準,環(huán)保且適合大批量生�(chǎn)�(huán)��
DMN2451UFB4Q廣泛應用于消費類電子�(chǎn)品中,如智能手機、平板電�、可穿戴�(shè)備等的電源管理系�(tǒng)�
在計算機及其外設(shè)�(lǐng)域,它可用于USB端口保護、硬盤驅(qū)動器控制��
通信�(shè)備中,該MOSFET適用于信號調(diào)節(jié)、電源開�(guān)等功��
工業(yè)應用方面,它可以作為電機控制、LED照明�(diào)光及�(qū)動的功率開關(guān)元件�
同時,在汽車電子系統(tǒng)里,它也能用作電池保�、負載切換等功能模塊的核心部件�
DMN2452UFCE
DMN2453UFCE
BSC017N06NS3
IRLML6402