時間：2025/5/23 9:43:05
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DMN2501UFB4是來自Diodes Incorporated的一款N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件采用UF-3B封裝形式，適合用于高頻開關應用。它具有低導通電阻、快速開關速度和高效率的特點，廣泛應用于電源管理、負載開關和DC-DC轉(zhuǎn)換器等領域。
最大漏源電壓：30V
最大柵源電壓：±8V
持續(xù)漏極電流：2.9A
導通電阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，在Vgs=4.5V時）
柵極電荷：6nC（典型值）
總電容：230pF（輸入電容）
工作溫度范圍：-55℃至150℃
DMN2501UFB4是一款專為高效能設計優(yōu)化的MOSFET器件。
它具有以下主要特性：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），可以有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關速度，適合高頻操作環(huán)境，能夠滿足現(xiàn)代電子設備對高速開關的需求。
3. 小型化的UF-3B封裝形式，能夠在有限的空間內(nèi)提供高性能表現(xiàn)，非常適合空間受限的應用場景。
4. 較寬的工作溫度范圍（-55℃至150℃），確保其在各種嚴苛環(huán)境下穩(wěn)定運行。
5. 高度可靠的設計，具備優(yōu)異的電氣特性和熱穩(wěn)定性。
這些特性使得DMN2501UFB4成為多種電源管理應用的理想選擇。
DMN2501UFB4適用于以下應用場景：
1. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模塊，例如手機充電器、適配器等。
2. 負載開關設計，用于控制電路中不同負載的開啟與關閉。
3. 各種DC-DC轉(zhuǎn)換器電路，包括降壓、升壓及升降壓轉(zhuǎn)換器。
4. 電池供電設備中的保護電路，如過流保護和短路保護。
5. 工業(yè)自動化設備中的信號切換與驅(qū)動電路。
由于其出色的性能和緊湊的封裝，DMN2501UFB4在眾多領域均表現(xiàn)出色。
DMN2501UFH4
DMN2501UFG4
