DMN26D0UT-7是一款由Diodes Incorporated生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用DFN2020-6封裝,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合用于各種高效能電源管理�(yīng)�。其工作電壓范圍�-0.3V�20V,并能在較寬的溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能�
最大漏源電壓:20V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.9A
�(dǎo)通電阻(典型值)�55mΩ
總功耗:410mW
工作溫度范圍�-55℃至150�
DMN26D0UT-7采用了先進的制造工�,具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 小巧的DFN2020-6封裝�(shè)�,節(jié)省PCB空間,非常適合便攜式�(shè)��
3. 快速開�(guān)能力,能夠有效減少開�(guān)損��
4. 高度可靠的抗靜電能力(HBM � 2kV)�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. 支持高頻開關(guān)操作,適用于DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電池供電�(chǎn)品中的電源管理電��
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于需要高性能和小尺寸解決方案的領(lǐng)�,具體包括:
1. 消費類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)�
2. 移動�(shè)備和可穿戴設(shè)備的電源管理模塊�
3. 各種便攜式電子產(chǎn)品的電池保護電路�
4. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器的設(shè)計�
5. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信號切換功��
6. 其他對小型化和低功耗有�(yán)格要求的�(yīng)用場景�
DMN26D0UFG-7