DMN29M9UFDF 是一款來� Diodes 公司� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,采� MicroFET? 技�(shù)制�。該器件主要�(shè)�(jì)用于低電壓、高效率的應(yīng)用場�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能。其超小型封裝和出色的電氣特性使其非常適合空間受限且對功率效率要求較高的�(yīng)用�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.5A
�(dǎo)通電阻(典型值)�18mΩ
柵極電荷(典型值)�3nC
總電容(輸入電容):260pF
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝類型:DFN1006-3 �1mm x 0.6mm�
DMN29M9UFDF 的主要特�(diǎn)是具備極低的�(dǎo)通電阻(RDS(on)�,這有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
其次,其快速開�(guān)性能和低柵極電荷使得該器件在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
此外,由于采用了 DFN1006-3 超小尺寸封裝,該器件能夠節(jié)省電路板空間,非常適合便攜式�(shè)備和其他空間受限的設(shè)�(jì)�
最�,其高達(dá) 175� 的工作結(jié)溫范圍確保了在極端環(huán)境下的可靠運(yùn)��
DMN29M9UFDF 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、通信和工�(yè)�(lǐng)域中的各種電��
典型�(yīng)用包括負(fù)載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器、電池管�、電源管理和信號切換��
此外,它也適用于需要高效能和緊湊設(shè)�(jì)的便攜式�(shè)備,如智能手�(jī)、平板電腦和可穿戴設(shè)��
DMN29M9UFD, DMN29M9EFDF