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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DMN3033LDM-7-F

DMN3033LDM-7-F 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/3/24 10:37:26 查看 閱讀�37

DMN3033LDM-7-F 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能,適用于各種功率�(zhuǎn)換和�(fù)載驅(qū)�(dòng)�(yīng)�。其封裝形式� LFPAK88,支持表面貼裝技�(shù) (SMT),能夠提供卓越的散熱性能和高電流承載能力�
  � MOSFET 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是滿足高效能、小型化和低成本的需求,廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備等�(lǐng)域�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�14A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�15nC(典型值)
  輸入電容�1690pF(典型值)
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=18ns,toff=23ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

DMN3033LDM-7-F 提供了非常低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  該器件還具備快速開(kāi)�(guān)速度,可以降低開(kāi)�(guān)損�,非常適合高頻應(yīng)��
  其堅(jiān)固的�(shè)�(jì)能夠在惡劣的工作�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,并且通過(guò)�(yōu)化的封裝�(jié)�(gòu)增強(qiáng)了散熱性能�
  此外,該 MOSFET 還具有較低的柵極電荷和輸出電容,有助于簡(jiǎn)化驅(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)并降低驅(qū)�(dòng)功��
  在保�(hù)功能方面,它具有�(guò)熱關(guān)斷和 ESD 保護(hù)等特�,�(jìn)一步提升了可靠性和安全性�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、同步整流電�、電�(jī)�(qū)�(dòng)、LED �(qū)�(dòng)�、電池管理以及負(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)��
  由于其低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),DMN3033LDM-7-F 特別適合于便攜式�(shè)�、筆記本電腦適配�、服�(wù)器電源和電動(dòng)工具等對(duì)能效要求較高的領(lǐng)��
  此外,該器件也常用于工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的開(kāi)�(guān)電源和信�(hào)�(diào)節(jié)電路中�

替代型號(hào)

DMN3036LDM-7-F, DMN3029LDM-7-F

dmn3033ldm-7-f推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)