DMN3061SQ 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET。該器件采用 SO-8 封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,適用于各種電源管理和信號切換應(yīng)用。其出色的電氣性能使其成為消費電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制等領(lǐng)域的理想選擇。
該 MOSFET 的設(shè)計注重提高效率并降低功耗,特別適合于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動以及電池供電設(shè)備中的應(yīng)用。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:4.2A
導(dǎo)通電阻(典型值):50mΩ
柵極閾值電壓:2.5V
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
封裝類型:SO-8
DMN3061SQ 具有低導(dǎo)通電阻特性,可顯著降低傳導(dǎo)損耗,從而提升系統(tǒng)效率。此外,該器件的快速開關(guān)能力使得其在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效減少開關(guān)損耗。
其堅固的設(shè)計確保了在惡劣環(huán)境下的可靠運行,并且由于采用了標(biāo)準(zhǔn) SO-8 封裝,便于安裝與焊接。DMN3061SQ 還具備良好的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的性能。
此外,它支持低至 2.5V 的柵極驅(qū)動電壓,非常適合低壓系統(tǒng)的應(yīng)用需求。
DMN3061SQ 廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)。
2. 各類 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流元件。
3. 負(fù)載開關(guān),用于保護(hù)電路免受過流或短路的影響。
4. 電機(jī)驅(qū)動器中的功率級組件。
5. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號切換功能。
其緊湊的封裝和高效性能使其成為空間受限且對能效要求較高的應(yīng)用場景的理想解決方案。
DMN2997UJ, DMN3029LQ, IRLML6402