DMN3150L是一款來自Diodes Incorporated的N溝道增強型MOSFET晶體�。該器件采用小型化的SOT23-3封裝,具有較低的導通電阻和快速開關特�,使其非常適合于空間受限且需要高效能的應用場��
這款MOSFET通常被用于消費電子、計算機外設、通信設備以及工業(yè)控制等領�,能夠提供高效的功率轉換與開關功��
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�4.8A
導通電�(Rds(on))�0.17Ω(在Vgs=10V時)
總功�(Ptot)�0.84W
工作結溫范圍(Tj)�-55℃至+150�
DMN3150L具有以下顯著特點�
1. 低導通電�,有助于降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開關能�,可以滿足高頻應用需��
3. 高度集成的小型SOT23-3封裝設計,極大地節(jié)省了PCB空間�
4. 寬泛的工作溫度范�,確保其能夠在多種環(huán)境條件下�(wěn)定運行�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且無鉛�
DMN3150L廣泛應用于各種領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的初級側或次級側開��
2. DC-DC轉換器中的同步整流或負載開關�
3. 電池管理系統(tǒng)的保護電��
4. 消費類電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦中的電源管理單��
5. 各種工業(yè)自動化設備中的信號切換與功率控制模塊�
DMN2990L, DMN3020L