国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來(lái)到維�(kù)電子市場(chǎng)�(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DMN3200U-7

DMN3200U-7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 9:23:59 查看 閱讀�29

DMN3200U-7是一款來(lái)自Diodes Incorporated的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用超小型DFN1010-7封裝,適用于�(duì)空間和效率要求較高的�(yīng)�。它具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,能夠在高頻開(kāi)�(guān)電路中提供卓越的性能�
  DMN3200U-7的設(shè)�(jì)目標(biāo)是為便攜式設(shè)�、消�(fèi)電子以及工業(yè)�(yīng)用提供高能效的解決方案。其工作電壓范圍寬廣,可承受高達(dá)30V的漏源極電壓,同�(shí)具備�(yōu)秀的電氣特性和熱性能�

參數(shù)

最大漏源極電壓�30V
  最大柵源極電壓:�8V
  連續(xù)漏極電流�2.4A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):65mΩ(在Vgs=4.5V�(shí)�
  柵極電荷�4nC
  總功耗:550mW
  工作溫度范圍�-55°C�+150°C

特�

低導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
  小型DFN1010-7封裝節(jié)省了PCB空間,非常適合空間受限的�(yīng)��
  快速開(kāi)�(guān)速度減少了開(kāi)�(guān)損耗,使得該MOSFET適合于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器和負(fù)載開(kāi)�(guān)�(yīng)��
  出色的熱�(wěn)定性使其能夠在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)��
  ESD保護(hù)增強(qiáng)了器件的魯棒�,減少了由于靜電放電引起的損壞風(fēng)�(xiǎn)�
  符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的生產(chǎn)需��

�(yīng)�

該MOSFET廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)域,包括但不限于�
  1. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和電源管��
  2. 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的電池管理和充電電路�
  3. 用于高效DC-DC�(zhuǎn)換器和同步整流電��
  4. 熱插拔保�(hù)和電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換和功率調(diào)節(jié)�

替代型號(hào)

DMN3020U-7, BSC016N06NS3G, AO3400

dmn3200u-7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

dmn3200u-7資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

dmn3200u-7參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2.2A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫歐 @ 2.2A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds290pF @ 10V
  • 功率 - 最�650mW
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3
  • 包裝帶卷 (TR)