DMN3200U-7是一款來(lái)自Diodes Incorporated的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用超小型DFN1010-7封裝,適用于�(duì)空間和效率要求較高的�(yīng)�。它具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,能夠在高頻開(kāi)�(guān)電路中提供卓越的性能�
DMN3200U-7的設(shè)�(jì)目標(biāo)是為便攜式設(shè)�、消�(fèi)電子以及工業(yè)�(yīng)用提供高能效的解決方案。其工作電壓范圍寬廣,可承受高達(dá)30V的漏源極電壓,同�(shí)具備�(yōu)秀的電氣特性和熱性能�
最大漏源極電壓�30V
最大柵源極電壓:�8V
連續(xù)漏極電流�2.4A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):65mΩ(在Vgs=4.5V�(shí)�
柵極電荷�4nC
總功耗:550mW
工作溫度范圍�-55°C�+150°C
低導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
小型DFN1010-7封裝節(jié)省了PCB空間,非常適合空間受限的�(yīng)��
快速開(kāi)�(guān)速度減少了開(kāi)�(guān)損耗,使得該MOSFET適合于高頻DC-DC�(zhuǎn)換器和負(fù)載開(kāi)�(guān)�(yīng)��
出色的熱�(wěn)定性使其能夠在高溫�(huán)境下可靠�(yùn)��
ESD保護(hù)增強(qiáng)了器件的魯棒�,減少了由于靜電放電引起的損壞風(fēng)�(xiǎn)�
符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的生產(chǎn)需��
該MOSFET廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)域,包括但不限于�
1. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和電源管��
2. 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的電池管理和充電電路�
3. 用于高效DC-DC�(zhuǎn)換器和同步整流電��
4. 熱插拔保�(hù)和電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)切換和功率調(diào)節(jié)�
DMN3020U-7, BSC016N06NS3G, AO3400