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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > DMN3300U-7

DMN3300U-7 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 12:32:40 查看 閱讀�24

DMN3300U-7是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),由Diodes Incorporated制造。這款器件采用微型DFN2020-6封裝,適合在空間受限的應用中使用。該MOSFET具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于電源管理、負載開�、DC-DC轉換器以及電池供電設備等應用�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大連續(xù)漏極電流�3.8A
  導通電阻(典型�,Vgs=4.5V):15mΩ
  導通電阻(最大值,Vgs=4.5V):20mΩ
  柵極電荷�9nC
  輸入電容�135pF
  總功耗:320mW
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

DMN3300U-7具有低導通電阻的特點,這有助于減少功率損耗并提高效率�
  其小型化的DFN2020-6封裝使其非常適合用于便攜式電子設備和其他對空間要求嚴格的場景�
  該器件支持快速開關操作,并且具備良好的熱�(wěn)定�,可以在較寬的工作溫度范圍內可靠運行�
  此外,它的低柵極電荷和輸入電容設計有助于降低驅動損�,進一步提升整體性能�

應用

DMN3300U-7廣泛應用于消費類電子�(chǎn)品領�,例如智能手機和平板電腦中的負載開關和電池管理電��
  它也適用于工�(yè)控制、通信設備以及汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和信號切換任務�
  其他典型應用場景包括USB充電端口保護、LED驅動器、電機驅動以及各種類型的DC-DC轉換��

替代型號

DMN2300U-7

dmn3300u-7推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

dmn3300u-7參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 4.5A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds193pF @ 10V
  • 功率 - 最�600mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3
  • 包裝帶卷 (TR)